MG651006-5 时间：2025/5/12 10:23:35 阅读：5

MG651006-5是一款高性能的MOSFET功率晶体管，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等需要高效能功率管理的场景。该型号属于N沟道增强型场效应晶体管，采用TO-220封装形式，具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够在高频应用中提供卓越的效率和可靠性。
　　这款器件主要设计用于处理高电流负载，同时保持较低的功耗。其稳健的设计使其在恶劣的工作环境下仍能保持稳定性能。

参数

最大漏源电压：60V
　　最大栅源电压：±20V
　　连续漏极电流：5A
　　导通电阻：4.5mΩ
　　总功耗：75W
　　工作温度范围：-55℃至150℃

特性

MG651006-5具有以下显著特点：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低传导损耗，提升整体系统效率。
　　2. 高速开关能力，支持高频应用，减少电磁干扰(EMI)。
　　3. 内置ESD保护电路，增强了芯片对静电放电的耐受性。
　　4. 热稳定性优异，在高温条件下依然可以保持稳定的电气性能。
　　5. TO-220封装提供了良好的散热性能，适合高功率密度应用场景。
　　6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。