MG610876P 时间：2025/12/25 7:28:24 阅读：20

MG610876P 是一款由 Mitsubishi（三菱）公司生产的功率晶体管（Power Transistor），属于MOSFET类型。该器件广泛应用于需要高功率处理能力的电子系统中，例如电源管理、电机驱动、工业控制以及汽车电子系统。这款MOSFET设计用于高效能操作，具有较低的导通电阻和高耐压能力，能够支持较大的工作电流。

参数

类型：MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）
　　极性：N沟道
　　漏极-源极击穿电压：600V
　　连续漏极电流：8A
　　导通电阻（Rds(on)）：1.2Ω
　　最大耗散功率：50W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TO-220
　　栅极阈值电压：2V~4V

特性

MG610876P MOSFET具有出色的电热稳定性，确保在高负载情况下仍能保持性能稳定。其低导通电阻（Rds(on)）特性使其在导通状态下的功率损耗极低，提高了整体能效。此外，该器件的封装设计（TO-220）提供了良好的散热性能，确保长时间工作下的可靠性。
　　在动态性能方面，MG610876P具有快速开关能力，能够有效减少开关损耗，适合用于高频应用。其栅极驱动电压范围适中（2V~4V），兼容多种常见的控制电路设计，无需额外的电压转换电路，降低了设计复杂度。
　　从安全和保护角度来看，MG610876P具备一定的过载和短路保护能力，能够在异常工作条件下提供一定程度的自我保护，延长设备寿命。

应用

MG610876P MOSFET适用于多种高功率应用场合。在电源管理领域，常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和电池充电系统。在工业自动化领域，它被广泛用于控制电机、继电器和执行机构的驱动电路中，确保高效、稳定的运行。
　　在汽车电子系统中，该器件可用于驱动大功率负载，如车灯、电动泵、空调压缩机等部件，同时满足汽车环境对温度、震动和电气噪声的严苛要求。此外，MG610876P还适用于逆变器设计，如太阳能逆变器和不间断电源（UPS），以实现高效能的能量转换。
　　由于其良好的热稳定性和耐用性，MG610876P也常用于家用电器的功率控制电路中，如电磁炉、洗衣机和空调设备。