时间：2025/6/17 12:02:02
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MG15B221K500CT 是一款高性能的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高效率、高频开关应用。该器件采用 N 沟道增强型设计，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，使其非常适合于电源管理、DC-DC 转换器、电机驱动以及各种工业电子设备中。
这款 MOSFET 使用 TO-247 封装形式，能够提供卓越的散热性能，并且在高电压和大电流条件下保持稳定运行。
最大漏源电压：1200V
最大连续漏极电流：50A
导通电阻（典型值）：0.03Ω
栅极电荷（Qg）：85nC
输入电容（Ciss）：2200pF
输出电容（Coss）：160pF
开关频率范围：高达 100kHz
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
MG15B221K500CT 具备以下显著特性：
1. 高耐压能力，最高可达 1200V，适用于高压环境下的开关操作。
2. 极低的导通电阻，可有效减少传导损耗，提高整体系统效率。
3. 快速开关特性，支持高频应用，降低开关损耗。
4. 强大的电流承载能力，额定电流为 50A，确保在大功率场景中的稳定性。
5. 内置反向恢复二极管，进一步优化了开关性能并减少了电磁干扰。
6. 宽泛的工作温度范围，从 -55°C 到 +175°C，适应极端环境条件。
7. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
MG15B221K500CT 广泛应用于以下领域：
1. 工业级 DC-DC 转换器和逆变器。
2. 太阳能光伏系统中的功率转换模块。
3. 电动车驱动系统及电池管理系统。
4. 高效开关电源（SMPS）设计。
5. 各种电机控制与驱动电路。
6. 高频变压器驱动和负载切换电路。
由于其出色的电气特性和可靠性，这款器件特别适合需要高效能源管理和苛刻工作条件的应用场合。
MG15B221K500CTP, IRFP460, STW45N120K5
