类型：双共阴极肖特基二极管
　　封装/外壳：SMA（DO-214AC）
　　反向重复峰值电压 VRRM：100V
　　直流阻断电压 VR：100V
　　平均整流电流 I(AV)：1.0A（单个二极管，引线温度不超过85°C）
　　峰值非重复浪涌电流 IFSM：30A（8.3ms单半正弦波）
　　正向压降 VF：0.875V（典型值），1.0V（最大值），测试条件为IF = 1.0A，TJ = 25°C
　　反向漏电流 IR：0.2mA（典型值），最大1.0mA，测试条件为VR = 100V，TJ = 25°C；高温下（TJ = 125°C）可达500μA
　　工作结温范围 TJ：-65°C 至 +150°C
　　存储温度范围 Tstg：-65°C 至 +150°C
　　热阻 RθJA：150°C/W（典型值）
　　安装方式：表面贴装
　　湿度敏感等级（MSL）：1级（≤30°C / 85% RH）
　　符合标准：IEC 61249-2-21（无卤素）、RoHS

该器件采用成熟的平面肖特基技术，实现了优异的电学性能与长期可靠性之间的平衡。其核心优势之一是低正向导通压降，在1A电流下典型值仅为0.875V，显著降低了功率损耗，提高了电源系统的整体效率。这一特性在电池供电设备或对能效要求严苛的应用中尤为重要。
　　此外，MFL12HR100FT具备快速开关响应能力，由于肖特基二极管本身无少数载流子存储效应，因此反向恢复时间几乎可以忽略不计，有效减少了开关过程中的能量损耗和电磁干扰（EMI），特别适用于高频DC-DC变换器拓扑结构，如同步整流、Buck或Boost电路。
　　双共阴极结构允许两个独立的肖特基二极管共享同一阴极连接，这种配置常用于双路输出或全波整流场合，节省了PCB布局空间并简化了布线复杂度。SMA封装具有良好的散热性能和机械强度，适合回流焊工艺，支持高速自动化组装，提升了生产效率。
　　器件具备较强的抗浪涌能力，可承受高达30A的非重复峰值电流，增强了系统在瞬态过流事件中的鲁棒性。同时，其反向漏电流经过优化设计，在常温下保持在较低水平，尽管随温度升高会有所增加，但在125°C时仍控制在500μA以内，确保高温运行时的稳定性。
　　热阻RθJA约为150°C/W，意味着在自然对流条件下需合理设计PCB铜箔面积以改善散热。该产品通过AEC-Q101认证的可能性较低（因其主要用于工业而非汽车领域），但仍具备出色的环境适应性，可在极端温度范围内稳定工作，适用于多种严苛应用场景。

MFL12HR100FT广泛应用于各类需要高效、小型化整流元件的电子系统中。典型用途包括开关模式电源（SMPS）中的次级侧整流，特别是在低电压、大电流输出的DC-DC转换器中发挥关键作用，利用其低VF特性减少传导损耗，提高能效。
　　在便携式电子设备如智能手机、平板电脑、笔记本电脑的电源管理模块中，该器件可用于电池充电路径的隔离、电源切换以及电压调节电路中的续流与防倒灌功能。
　　此外，它也常见于逆变器、LED驱动电源、适配器和机顶盒等消费类电源产品中，作为箝位二极管抑制感性负载产生的反向电动势，保护主控开关器件（如MOSFET）。
　　在工业控制系统中，MFL12HR100FT可用于PLC模块、传感器供电单元和隔离电源的整流环节，提供快速响应和高可靠性支持。
　　通信基础设施设备，例如路由器、交换机和基站电源模块，同样依赖此类高性能肖特基二极管来实现紧凑高效的电源设计。其表面贴装形式便于实现高密度PCB布局，满足现代电子产品小型化趋势的需求。同时，由于其符合环保法规，适用于出口型或全球销售的产品设计。