型号：MF2N7002E-G
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　封装：SOT-23
　　漏源电压(VDS)：60V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：300mA @ 25°C
　　脉冲漏极电流(IDM)：1.2A
　　导通电阻(RDS(on))：5.5Ω @ VGS=10V, ID=100mA
　　栅极阈值电压(VGS(th))：1.0V ~ 2.5V
　　输入电容(Ciss)：19pF @ VDS=10V
　　输出电容(Coss)：8pF @ VDS=10V
　　反向传输电容(Crss)：3pF @ VDS=10V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　热阻结到环境(θJA)：250°C/W
　　热阻结到外壳(θJC)：83.3°C/W

MF2N7002E-G具备优异的开关特性和稳定的电气参数表现，其核心优势在于低导通电阻与合理的开关速度之间的平衡。在VGS=10V时，RDS(on)最大仅为5.5Ω，确保在低电流负载下实现较小的功率损耗，提升系统能效。该器件的栅极阈值电压范围为1.0V至2.5V，使其能够在3.3V甚至更低的逻辑电平下可靠开启，适用于现代低功耗微控制器直接驱动的应用场景。得益于SOT-23封装的小尺寸和良好的散热设计，MF2N7002E-G可在紧凑布局中稳定运行，同时具备较强的抗瞬态过载能力。
　　该MOSFET的输入电容（Ciss）仅为19pF，输出电容（Coss）为8pF，使得其在高频开关应用中具有较低的驱动损耗和较快的响应速度，适合用于PWM调光、LED驱动、继电器驱动或小电机控制等需要频繁开关操作的电路。此外，器件的最大漏源电压为60V，允许其在多种中低压电源系统中安全运行，例如12V或24V工业控制总线。其工作结温范围可达+150°C，配合合理的PCB布局可有效应对高温环境下的长期运行需求。
　　Magnachip在制造过程中采用了严格的品质控制流程，确保每批产品的参数一致性高，批次稳定性好。MF2N7002E-G还具备良好的抗静电能力（HBM模型），增强了在自动化贴片和手工焊接过程中的可靠性。总体来看，这款MOSFET在成本、性能与可靠性之间取得了良好平衡，是替代传统中小功率双极性晶体管的理想选择之一，尤其适用于追求小型化和高集成度的设计方案。

MF2N7002E-G广泛应用于各类低电压、小电流的开关与信号控制场景。常见用途包括便携式消费类电子产品中的负载开关，例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的LCD背光控制、摄像头模块供电管理以及传感器电源启停。在工业自动化领域，它可用于PLC数字I/O扩展板上的信号切换、电磁阀或小型继电器的驱动电路，实现微控制器与高电压/大电流负载之间的电气隔离与控制。
　　此外，该器件也常用于电源管理系统中作为高端或低端开关，执行电池供电路径管理、充电指示灯控制或USB端口的电流限制功能。在通信设备中，MF2N7002E-G可用于模拟开关或多路复用器的构建，实现音频或数据信号的选通与路由。其快速开关能力和低漏电流特性也使其适用于待机模式下的节能电路设计，帮助延长电池寿命。
　　在LED照明应用中，MF2N7002E-G可用于恒流源的开关调节部分，配合限流电阻或专用驱动IC实现亮度调节功能。同时，由于其封装小巧，特别适合高密度PCB布局，如智能家居控制面板、无线传感器节点和物联网终端设备。总之，凡涉及低功耗、小信号开关控制的场合，MF2N7002E-G均能提供稳定可靠的解决方案。

2N7002E, FDN302P, BSS138, ZXMN2A01F, DMG2302U