时间：2025/12/27 20:03:52
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MF-USHT050KX-2是一款由Vishay Siliconix（威世硅电）生产的表面贴装肖特基势垒二极管，专为高效率、低电压应用设计。该器件采用先进的平面技术制造，具有出色的热稳定性和长期可靠性。MF-USHT050KX-2属于UltraSPHERES?系列，该系列以其卓越的散热性能和紧凑的封装尺寸著称，适用于对空间和散热要求较高的现代电子设备。这款二极管特别适合用于电源管理电路中，例如DC-DC转换器、逆变器、续流/箝位以及极性保护等应用场景。其表面贴装SMA（DO-214AC）封装形式便于自动化装配，并能有效提高PCB上的组装密度。此外，该器件符合RoHS指令，不含铅（Pb），并且满足J-STD-020关于潮湿/回流敏感度等级的要求，确保在无铅焊接工艺中的可靠使用。MF-USHT050KX-2的工作结温范围宽广，通常可支持从-55°C至+150°C，使其能够在严苛环境条件下稳定运行。由于采用了肖特基势垒结构，该二极管具备较低的正向导通压降和快速开关特性，显著减少了功率损耗，提升了系统整体能效。因此，它被广泛应用于便携式电子产品、通信设备、工业控制系统以及汽车电子等领域。
产品类型：肖特基二极管
最大重复反向电压（VRRM）：50V
平均整流电流（IO）：5.0A
峰值正向浪涌电流（IFSM）：50A（8.3ms单半波）
最大正向压降（VF）：600mV @ 5A（典型值），850mV @ 5A（最大值）
最大反向漏电流（IR）：100μA @ 50V，25°C；1.0mA @ 50V，125°C
工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
封装/外壳：SMA（DO-214AC）
安装类型：表面贴装（SMD）
热阻结到环境（RθJA）：约50°C/W（依PCB布局而定）
热阻结到引线（RθJL）：约20°C/W
湿度敏感等级（MSL）：1级（<=30°C / 85% RH）
MF-USHT050KX-2的核心优势在于其优化的肖特基势垒结构与高性能封装技术的结合，实现了低正向压降与高电流承载能力的平衡。在5A工作电流下，其典型正向压降仅为600mV，最大不超过850mV，这意味着相较于传统PN结二极管，其导通损耗大幅降低，有助于提升电源转换效率并减少散热需求。这种低VF特性对于电池供电设备尤为重要，因为它能够延长电池续航时间。同时，该器件具备非常快的反向恢复时间（trr < 5ns），几乎无反向恢复电荷（Qrr），从而有效抑制了开关过程中的电压尖峰和电磁干扰（EMI），提高了系统的稳定性与安全性。
该二极管采用SMA封装，具有良好的机械强度和热传导性能。封装底部设计有利于热量通过PCB快速散出，配合大面积铜箔走线时，热阻可进一步降低，提升功率处理能力。器件通过AEC-Q101汽车级可靠性认证，适用于车载电子系统，如车身控制模块、车载充电器和LED照明驱动等。此外，其高浪涌电流承受能力（50A）使其在瞬态负载或启动冲击电流较大的场合仍能保持可靠运行。所有金属化端子均采用无铅镀层，兼容现代无铅回流焊工艺，并可通过标准SMT生产线进行高效装配。总体而言，MF-USHT050KX-2是一款集高效、可靠、环保于一体的高性能肖特基二极管，适用于多种高密度、高效率电源拓扑结构。
MF-USHT050KX-2广泛应用于各类需要高效能量转换和紧凑设计的电子系统中。在DC-DC转换器中，它常被用作同步整流或输出整流二极管，尤其是在降压（Buck）、升压（Boost）和反激（Flyback）拓扑中表现优异。由于其低正向压降和快速响应特性，能够显著减少功率损耗，提高转换效率，特别适合用于便携式设备如智能手机、平板电脑和笔记本电脑的电源管理单元。在分布式电源系统和FPGA、ASIC等大电流逻辑芯片的供电电路中，该器件也常作为续流或箝位二极管使用，以防止电感反电动势造成的损坏。
在工业控制领域，MF-USHT050KX-2可用于PLC模块、传感器接口和电机驱动电路中的电源保护与整流功能。其宽温工作能力和高可靠性使其适应恶劣工业环境。在通信基础设施中，如基站电源、光模块供电等，该二极管有助于实现高效率和小型化设计。此外，在汽车电子应用中，包括车载信息娱乐系统、ADAS传感器电源、车灯驱动及辅助电池管理系统中，MF-USHT050KX-2凭借其AEC-Q101认证和优良的热性能，成为理想的整流与保护元件。其他应用还包括UPS不间断电源、太阳能充电控制器、消费类适配器和LED驱动电源等。
MBR560AG-RTK/V7
SK56A-E3/5AT
SB560-E3/5AT
VS-5.0SMSH60
