时间：2025/6/28 20:15:42
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MEE15N10-G 是一款 N 沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），适用于中低电压应用场合。它采用先进的沟槽式技术制造，具有较低的导通电阻和良好的开关性能。该器件广泛应用于电源管理、电机驱动、消费类电子产品以及工业控制等领域。
由于其高效率和紧凑的封装设计，MEE15N10-G 成为众多设计工程师在需要高效功率转换时的理想选择。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：15A
导通电阻（典型值）：6.5mΩ
栅极-源极电压（开启）：2.5V
栅极-源极电压（关断）：-5V
最大功耗：130W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-220FP
MEE15N10-G 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻，有助于降低传导损耗并提高整体效率。
2. 快速开关速度，适合高频应用环境。
3. 高雪崩能力，增强器件在异常条件下的鲁棒性。
4. 小信号栅极驱动要求，便于与各种控制器配合使用。
5. 采用无铅材料和符合 RoHS 标准的封装，满足环保需求。
这些特性使 MEE15N10-G 在多种电力电子电路中表现出色，同时确保长期可靠性。
MEE15N10-G 主要用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
2. DC/DC 转换器的核心功率开关元件。
3. 电机驱动电路中的逆变桥臂组件。
4. 各种电池保护和管理系统中的负载开关。
5. LED 驱动器以实现高效照明解决方案。
凭借其优异的性能，该器件非常适合需要高效率、小尺寸和低成本的设计场景。
MEH15N10-G, IRF540N, FDP15N10C
