时间：2025/8/19 10:18:25
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MEB98S是一款由东芝（Toshiba）公司生产的MOS场效应晶体管（MOSFET），属于功率MOSFET系列。这款器件专为高效率、高功率密度的电源转换系统设计，适用于多种电力电子应用。MEB98S采用先进的沟槽式（Trench）MOSFET技术，具有较低的导通电阻（Rds(on)），从而降低了导通损耗，提高了整体效率。其封装形式通常为TO-220或类似的高散热性能封装，便于安装在散热器上，适用于中高功率应用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：约100A（具体值视具体型号和工作条件）
漏源极击穿电压（VDS）：约100V
栅源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：通常低于10mΩ
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装类型：TO-220、D2PAK等
功耗（PD）：约150W至200W（视具体型号和封装）
MEB98S MOSFET具备多项优异特性，首先，其低导通电阻（Rds(on)）可显著减少导通状态下的功率损耗，从而提高电源转换效率。其次，该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，使导通电阻与开关损耗达到良好的平衡，同时提高了器件的热稳定性。此外，MEB98S具有较高的电流承载能力和良好的热性能，能够承受较高的瞬时电流和工作温度，适用于高负载环境。其封装形式设计考虑了良好的散热性能，确保在高功率应用中能够有效散热，防止过热损坏。此外，该器件具备较高的耐用性和可靠性，适用于长期连续工作的工业级应用。
MEB98S MOSFET广泛应用于各类电源管理系统和电力电子设备中，如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、电机驱动器、负载开关、电池管理系统（BMS）以及汽车电子系统等。其高效率和高功率处理能力使其特别适合用于服务器电源、通信设备电源、工业自动化设备和高功率LED照明驱动电路。此外，该器件也常用于逆变器和UPS（不间断电源）系统中，作为高频率开关元件使用，以提升系统的整体效率和稳定性。
TKA100E10CN1,MTH100E10CA,TME100E10CN1
