ME8204BM6G 是一款由 Micron(美光)生产的 NAND Flash 存储芯片,采用 3D TLC 架构。这款芯片主要用于需要大容量存储的应用场景,例如固态硬盘(SSD)、嵌入式存储设备以及消费类电子产品等。该芯片具备高可靠性和高性能的特点,支持多种接口协议以满足不同应用需求。
该系列芯片基于美光先进的 3D NAND 技术,能够在更小的物理空间内提供更高的存储密度,同时优化了功耗表现和数据传输速度。
容量:64GB
存储类型:NAND Flash
架构:3D TLC
接口: Toggle Mode 2.0
工作电压:1.8V / 3.3V
封装形式:BGA
数据传输速率:最高可达 400MT/s
擦写寿命:约 1000 次 P/E 周期
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
ME8204BM6G 的主要特性包括:
1. 高密度存储:通过 3D TLC 技术,在单个芯片上实现大容量存储。
2. 快速数据传输:支持 Toggle Mode 2.0 接口协议,确保高速的数据读写性能。
3. 可靠性设计:具备纠错码(ECC)功能,能够有效降低数据错误率,提高数据可靠性。
4. 灵活的工作电压:兼容 1.8V 和 3.3V 工作电压,适合多种应用场景。
5. 广泛的工作温度范围:可以在工业级温度范围内稳定运行,适用于各种环境条件下的应用。
6. 小型化封装:采用 BGA 封装方式,节省电路板空间,适合对尺寸有严格要求的设计。
ME8204BM6G 芯片广泛应用于以下领域:
1. 固态硬盘(SSD):
作为核心存储介质,为 SSD 提供大容量和高性能的存储能力。
2. 嵌入式系统:
用于工业控制、物联网设备以及其他需要高可靠性和高性能存储的嵌入式应用。
3. 消费类电子产品:
如智能手机、平板电脑、数码相机等,提供快速的数据访问和大容量存储支持。
4. 服务器和数据中心:
在企业级存储解决方案中使用,提供高吞吐量和低延迟的数据访问性能。
ME8204BM6GA, MT29F64G08CBADAWP