ME75N80B 时间：2025/9/14 5:29:17 阅读：6

ME75N80B是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高电压和高电流应用。这款MOSFET的漏源电压（VDS）为800V，最大漏极电流（ID）为75A，适用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统。ME75N80B因其高耐压能力和良好的导通性能被广泛应用于工业电源、UPS（不间断电源）、开关电源（SMPS）和逆变器等设备。

参数

漏源电压(VDS)：800V
　　漏极电流(ID)：75A
　　栅源电压(VGS)：±30V
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-264
　　导通电阻(RDS(on))：典型值为0.16Ω
　　最大功率耗散：300W

特性

ME75N80B的主要特性包括其高耐压能力，能够承受高达800V的漏源电压，使其适用于高电压环境。其低导通电阻（RDS(on)）确保了在大电流条件下能够保持较低的功率损耗，从而提高整体效率。此外，ME75N80B采用了先进的平面工艺技术，提供了卓越的热稳定性和可靠性。该器件的封装形式为TO-264，具有良好的散热性能，能够有效降低器件在高功率工作时的温度。栅源电压范围宽，允许±30V的操作，增加了其在不同控制电路中的适应性。
　　ME75N80B还具有较高的开关速度，适用于高频开关应用。其优化的内部结构设计有助于减少开关损耗，提高系统的整体效率。同时，该器件的制造工艺确保了其在极端温度条件下的稳定运行，适用于恶劣工业环境。这些特性共同使ME75N80B成为一款高性能的功率MOSFET，满足多种高要求的应用需求。

应用

ME75N80B广泛应用于各种需要高电压和高电流处理能力的电子设备中。其主要应用领域包括开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、电机驱动器、逆变器、工业电源系统以及太阳能逆变器等。在开关电源中，ME75N80B用于高效的功率转换，能够提供稳定的输出电压并减少能量损耗。在UPS系统中，该MOSFET用于直流到交流的转换，确保在市电中断时能够迅速提供备用电源。在电机驱动器中，ME75N80B可以高效控制电机的转速和扭矩，适用于自动化控制系统。此外，该器件还适用于高功率LED驱动器、电焊机以及各种工业控制设备。