ME75N75T 时间：2025/7/11 17:22:59 阅读：7

ME75N75T是一款基于MOSFET技术的高压功率晶体管，广泛应用于高频开关电源、电机驱动和逆变器等领域。该器件采用N沟道增强型设计，具有低导通电阻和快速开关特性，能够显著提升电路效率并降低能耗。其封装形式通常为TO-247或TO-220，便于散热管理。这款芯片适用于要求高效率和高可靠性的电力电子应用。

参数

最大漏源电压：750V
　　连续漏极电流：75A
　　导通电阻：0.18Ω
　　栅极电荷：120nC
　　输入电容：1500pF
　　开关速度：100kHz
　　结温范围：-55℃至150℃

特性

ME75N75T具有以下主要特性：
　　1. 高击穿电压（750V），确保在高压环境下稳定工作。
　　2. 大电流承载能力（75A），适合大功率应用。
　　3. 极低的导通电阻（0.18Ω），减少功率损耗。
　　4. 快速开关性能，支持高达100kHz的工作频率。
　　5. 良好的热稳定性，可在宽温度范围内正常运行。
　　6. 具备优异的雪崩能力和抗静电能力，提高系统可靠性。
　　这些特性使ME75N75T成为高性能电力转换和控制应用的理想选择。

应用

ME75N75T的主要应用场景包括：
　　1. 开关电源（SMPS）中的主开关元件。
　　2. 工业电机驱动器中的功率级组件。
　　3. 新能源领域，如太阳能逆变器和风能转换系统。
　　4. 电动车和混合动力汽车的动力系统控制。
　　5. 不间断电源（UPS）和其他需要高效功率转换的场合。
　　其高压和大电流特性使其特别适合于需要高效率和可靠性的电力电子设备。