ME6216A27XG 是一款高速 SRAM(静态随机存取存储器)芯片,采用 CMOS 工艺制造。该芯片具有低功耗、高稳定性和快速访问时间的特点,适用于对数据读写速度要求较高的应用场景4K x 16 的配置,意味着它具有 65,536 个地址和每个地址存储 16 位的数据宽度。其工作电压范围通常在 2.7V 至 3.6V 之间,适合多种嵌入式系统和工业应用。
容量:64K x 16 bits
工作电压:2.7V ~ 3.6V
访问时间:10ns
数据保持时间:无限(在电源供应下)
封装类型:TQFP-44
工作温度范围:-40°C ~ +85°C
I/O 电压:2.7V ~ 3.6V
引脚数:44
ME6216A27XG 提。
1. 高速访问:该芯片支持 10 纳秒的快速访问时间,确保系统能够高效地处理大量数据。
2. 低功耗设计:即使在高频操作下,芯片仍然保持较低的功耗,有助于延长电池供电设备的使用时间。
3. 高稳定性:采用了先进的 CMOS 技术,保证了在宽温范围内的可靠运行。
4. 多种用途:可广泛应用于网络通信设备、工业控制系统、医疗设备以及其他高性能计算平台。
5. 数据完整性:内置硬件保护机制,防止因意外断电或其他干扰导致的数据丢失或损坏。
ME6216A27XG 适用于各种高性能嵌入式系统和工业控制领域。
1. 网络路由器和交换机中的缓存存储。
2. 工业自动化控制器中的临时数据缓冲。
3. 医疗成像设备中的图像处理和暂存。
4. 数字信号处理器 (DSP) 的外部扩展存储。
5. 游戏机和其他消费类电子产品的高速缓存解决方案。
ME6216A27TG, ME6216A27JG, CY62167EV30PI, IS62WV6416BLL-12TL