时间：2025/6/18 23:01:23
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ME6214C50M5G是东芝公司生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等电力电子领域。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻和高电流处理能力，能够在高频开关条件下提供高效能表现。
该MOSFET具有出色的开关特性和较低的栅极电荷，非常适合于要求快速开关的应用场景，同时其封装形式（TO-263）也便于散热管理。
最大漏源电压：50V
最大连续漏极电流：5A
最大脉冲漏极电流：17A
导通电阻：180mΩ
栅极阈值电压：2V~4V
最大耗散功率：49W
工作结温范围：-55℃~150℃
ME6214C50M5G具有以下主要特性：
1. 低导通电阻，能够有效减少功率损耗。
2. 快速开关速度，适合高频应用。
3. 高电流承载能力，支持大功率负载。
4. 小型表面贴装封装（TO-263），方便安装与散热设计。
5. 宽温度范围操作，适应各种恶劣环境条件。
6. 内置ESD保护功能，提高了器件的可靠性。
ME6214C50M5G的主要应用领域包括：
1. 开关电源中的同步整流电路。
2. DC-DC转换器中的功率开关元件。
3. 各类电机驱动电路中的功率控制部分。
4. 负载切换和电池保护电路。
5. 其他需要高性能功率开关的电力电子设备中。
IRF540N
STP55NF06
FDP5580
AO3400
