时间：2025/6/21 11:18:34
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ME6211C50M5G-N是一款高性能的MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管），主要应用于开关电源、电机驱动、逆变器等功率转换领域。该器件采用了先进的工艺制造，具有低导通电阻、高开关速度和优秀的热性能。其封装形式为TO-252(DPAK)，能够承受较高的电压和电流，同时保持较低的功耗。
最大漏源电压：50V
连续漏极电流：40A
导通电阻：4mΩ
栅极电荷：7.9nC
总电容：830pF
工作温度范围：-55℃ to 150℃
ME6211C50M5G-N具备以下特点：
1. 极低的导通电阻，有助于减少功率损耗。
2. 高速开关能力，适合高频应用。
3. 较小的封装尺寸，便于PCB布局设计。
4. 良好的热稳定性，在高温环境下仍能保持可靠运行。
5. 高度耐用的结构设计，适用于恶劣的工作条件。
6. 符合RoHS标准，环保且无铅。
该MOSFET广泛用于以下场景：
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
2. DC-DC转换器的核心功率开关元件。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 充电器、适配器以及LED驱动器的设计。
5. 电池保护电路及负载切换。
6. 各种工业自动化设备中的功率管理模块。
ME6211C50M5G-D, IRF540N, FDP5800
