ME6211C28M5G 是一款高性能、低功耗的 DDR3L SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory),广泛应用于嵌入式系统、消费电子和网络设备中。该型号采用先进的制造工艺,支持快速的数据传输速率和高效的工作模式,能够满足现代电子设备对内存性能的严格要求。
DDR3L 是 DDR3 的低电压版本,工作电压为 1.35V,相比标准 DDR3 的 1.5V 更加节能。ME6211C28M5G 提供了高密度的存储容量以及出色的可靠性和稳定性,适用于需要长时间运行的工业和商业场景。
类型:DDR3L SDRAM
容量:4GB (单颗芯片为 512Mb x 8)
电压:1.35V
数据速率:1600Mbps
封装形式:BGA-78-ball
工作温度范围:0°C 至 85°C
存取时间:CL=11
组织结构:512M x 8
ME6211C28M5G 具有以下显著特性:
1. 支持高达 1600 Mbps 的数据传输速率,确保高效的性能表现。
2. 采用低电压设计(1.35V),降低整体功耗,延长设备续航时间。
3. 内置自动刷新和自定时自刷新功能,简化系统设计并提高可靠性。
4. 支持多种省电模式,包括深度掉电模式,进一步优化能耗。
5. 符合 JEDEC 标准规范,兼容性强,易于集成到各种应用平台。
6. 稳定性高,在宽温范围内依然保持良好的工作状态,适合恶劣环境下的使用需求。
7. 封装小巧(BGA-78),节省 PCB 空间,便于小型化设计。
ME6211C28M5G 广泛应用于以下领域:
1. 嵌入式系统:如路由器、交换机等网络设备。
2. 消费类电子产品:例如智能电视、机顶盒、游戏主机等。
3. 工业控制:用于 PLC 控制器、工业计算机等需要高性能内存支持的场合。
4. 物联网设备:提供足够的存储容量来支持复杂的 IoT 应用程序。
5. 医疗设备:如超声波设备、监护仪等,要求稳定性和低延迟的场景。
其高密度、低功耗的特点使其成为众多便携式和高性能设备的理想选择。
MT41K256M8HX-125 IT ME6211B28M5G