时间：2025/7/11 20:26:44
阅读：10
ME6211C18M5G-N 是一款高性能的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于 N 沱型功率 MOSFET。该器件采用先进的制程技术，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于各种高效能电源转换和电机驱动应用。
这款 MOSFET 的封装形式为 DPAK（TO-252），能够提供出色的散热性能，并且其栅极驱动电压范围较宽，便于在不同应用场景下使用。
型号：ME6211C18M5G-N
类型：N 沱型功率 MOSFET
最大漏源电压 Vds：60V
最大栅源电压 Vgs：±20V
连续漏极电流 Id：36A
导通电阻 Rds(on)：1.8mΩ（典型值，Vgs=10V）
栅极电荷 Qg：47nC（典型值）
输入电容 Ciss：2230pF（典型值）
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
ME6211C18M5G-N 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，有助于降低传导损耗，提升系统效率。
2. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常情况下的耐用性。
3. 快速开关性能，适合高频应用环境。
4. 优化的栅极驱动设计，降低了驱动功耗并提高了系统的稳定性。
5. 符合 RoHS 标准，环保且满足现代电子产品的合规要求。
6. 宽广的工作温度范围，确保在极端条件下仍能可靠运行。
ME6211C18M5G-N 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流和功率因数校正（PFC）。
2. 电动工具、家用电器和工业设备中的电机驱动电路。
3. DC-DC 转换器和逆变器模块。
4. 太阳能微逆变器和其他可再生能源系统。
5. 电池保护和负载切换控制电路。
6. 各类需要高效功率转换和快速响应的应用场景。
ME6211C18M5G-P, IRF3205, AO3400
