ME6211A30M3G-N 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管,属于 Enhancement 模式的 N-Channel 器件。该器件采用先进的制造工艺设计,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,适用于多种功率转换应用。其封装形式为 TO-252 (DPAK),适合表面贴装技术 (SMT) 的使用场景。
ME6211A30M3G-N 的主要应用场景包括 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动电路以及电池保护电路等,能够满足高效率和高可靠性的设计需求。
最大漏源电压:30V
连续漏极电流:3.8A
导通电阻(典型值):35mΩ
栅极电荷:17nC
工作结温范围:-55℃ 至 +150℃
封装形式:TO-252 (DPAK)
ME6211A30M3G-N 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻,能够显著降低功率损耗并提升整体系统效率。
2. 快速的开关速度,有助于减少开关损耗并支持高频操作。
3. 具备强大的抗 ESD 能力,确保在恶劣环境下的可靠性。
4. 小型化封装设计,便于 PCB 布局优化,节省空间。
5. 支持宽范围的工作温度,适应各种工业和消费类电子设备的需求。
该器件广泛应用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 各种负载开关和保护电路。
3. 电机驱动控制电路。
4. 电池管理与保护模块。
5. 便携式电子产品中的功率管理部分。
ME6211A30M3G-D, IRF3710PbF, FDP17N06L