ME60N04 时间：2025/7/9 10:48:03 阅读：15

ME60N04 是一款 N 沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等领域。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够有效降低功率损耗并提升系统效率。
　　ME60N04 的封装形式通常为 TO-220 或 DPAK，便于散热设计，并且其耐压能力可以满足多种中低压应用场景的需求。

参数

最大漏源电压：60V
　　最大栅源电压：±20V
　　持续漏极电流：4A
　　导通电阻（Rds(on)）：8.5mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
　　总功耗：10W（TO-220 封装）
　　结温范围：-55℃ 至 +175℃

特性

ME60N04 具有以下显著特性：
　　1. 极低的导通电阻，可有效减少传导损耗。
　　2. 高速开关性能，适合高频应用。
　　3. 较高的雪崩能量能力，增强了器件在异常情况下的可靠性。
　　4. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
　　5. 紧凑的封装形式，便于集成到各种电路板设计中。
　　6. 内置反向二极管，简化了电路设计并提升了效率。

应用

ME60N04 主要应用于以下领域：
　　1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流器。
　　2. DC-DC 转换器中的主开关或续流开关。
　　3. 电池管理系统中的负载开关或保护开关。
　　4. 电机驱动电路中的功率级元件。
　　5. 各类便携式电子设备中的功率管理模块。
　　6. 工业控制系统的功率转换部分。