ME50N75T 时间：2025/12/23 13:43:08 阅读：17

ME50N75T是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用TO-220封装形式，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等领域。ME50N75T以其低导通电阻和高击穿电压特性著称，能够满足多种电力电子应用的需求。
　　该MOSFET的设计旨在提供高效的功率转换能力，同时保持较低的功耗和较高的可靠性。其制造工艺采用了先进的半导体技术，确保了产品在恶劣工作条件下的稳定性和耐用性。

参数

最大漏源电压：75V
　　连续漏极电流：50A
　　栅极阈值电压：2V~4V
　　导通电阻：1.8mΩ（典型值）
　　总功耗：140W
　　工作结温范围：-55℃~175℃

特性

ME50N75T具备出色的电气性能和机械性能。它具有较低的导通电阻，从而减少传导损耗并提高效率。其高击穿电压使其能够在较高电压环境下可靠运行。此外，该器件的热阻较低，有助于散热管理，进一步提升了整体性能。
　　MOSFET的开关速度较快，可以有效降低开关损耗。同时，该器件还具有良好的抗雪崩能力和静电放电保护功能，增强了其在复杂电路中的稳定性。由于采用了标准的TO-220封装，因此便于安装和维护。

应用

ME50N75T适用于多种电力电子应用场合，包括但不限于以下领域：
　　1. 开关模式电源（SMPS），如适配器、充电器等；
　　2. 电动工具及家用电器中的电机驱动控制；
　　3. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统；
　　4. 各类工业自动化设备中的功率转换模块；
　　5. 汽车电子系统中的负载切换和保护电路。
　　凭借其优异的性能指标，ME50N75T成为许多高效能需求场景的理想选择。