时间：2025/8/14 1:56:38
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ME50N06 是一款由MagnaChip公司生产的N沟道功率MOSFET，广泛用于电源管理、开关电源和DC-DC转换器等应用中。该器件具有高耐压、低导通电阻以及良好的热稳定性，适合高效率和高可靠性的电源设计。
类型：N沟道
最大漏极电压(Vdss)：60V
最大栅极电压(Vgss)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：50A（在Tc=25℃）
最大工作温度：150℃
导通电阻(Rds(on))：约0.018Ω（典型值）
封装类型：TO-220
ME50N06 MOSFET具备优异的导通性能和快速的开关特性，能够在高频率下稳定工作。其低导通电阻降低了导通损耗，提高了整体效率。此外，该器件的封装形式具有良好的散热性能，有助于提高系统的热稳定性和长期可靠性。
这款MOSFET还具备较强的抗过载能力和短路保护能力，使其在严苛的工作环境中依然保持稳定运行。其设计符合RoHS标准，适用于环保要求较高的电子产品。
ME50N06常用于各类电源管理电路，如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统以及工业自动化设备中的功率控制模块。其高效能和高可靠性的特点也使其适用于汽车电子系统中的功率管理应用。
IRFZ44N, FDP50N06, FQP50N06
