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ME501210 发布时间 时间:2025/9/29 14:57:48 查看 阅读:6

ME501210是一款由Magnachip Semiconductor生产的P沟道增强型MOSFET,广泛应用于电源管理、负载开关、电池供电设备等低电压、高效率的场合。该器件采用先进的沟槽技术制造,能够在低栅极电压下实现优异的导通性能和较低的导通电阻,适合用于便携式电子产品中的开关控制。ME501210具有良好的热稳定性和可靠性,封装形式为SOT-23(SC-59),属于小型表面贴装器件,便于在紧凑型PCB设计中使用。
  该MOSFET的主要优势在于其低阈值电压特性,支持逻辑电平驱动,可直接由3.3V或更低的微控制器GPIO引脚控制,无需额外的电平转换电路。这使得它在现代低功耗嵌入式系统中具备较高的集成度和设计灵活性。此外,ME501210具备优良的抗静电能力(ESD保护)和反向电流阻断功能,在防止电池反接或电源倒灌方面表现良好。
  Magnachip作为全球领先的模拟与功率半导体供应商之一,其ME系列MOSFET产品线以高性价比和稳定性著称,适用于消费类电子、工业控制、通信模块等多种应用场景。ME501210符合RoHS环保标准,并通过了多项国际质量认证,确保在批量生产中的可靠性和一致性。

参数

型号:ME501210
  类型:P沟道MOSFET
  封装:SOT-23 (SC-59)
  最大漏源电压(VDS):-20V
  最大栅源电压(VGS):±12V
  最大连续漏极电流(ID):-1.8A
  最大脉冲漏极电流(IDM):-3.6A
  导通电阻(RDS(on)):45mΩ @ VGS = -4.5V
  导通电阻(RDS(on)):60mΩ @ VGS = -2.5V
  导通电阻(RDS(on)):85mΩ @ VGS = -1.8V
  阈值电压(Vth):-0.4V ~ -1.0V
  输入电容(Ciss):230pF @ VDS=10V
  开关时间(开启):7ns
  开关时间(关闭):18ns
  工作结温范围(Tj):-55°C ~ +150°C
  热阻(Junction-to-Ambient)(RθJA):250°C/W
  热阻(Junction-to-Case)(RθJC):83.3°C/W

特性

ME501210采用先进的沟槽型场效应晶体管结构,具备出色的电气性能和热稳定性。其核心特性之一是低导通电阻(RDS(on)),在VGS = -4.5V条件下仅为45mΩ,显著降低了在大电流应用中的功率损耗,提高了整体系统的能效。这一特性尤其适用于电池供电设备,如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机等对能耗敏感的产品。由于其P沟道特性,该器件常用于高边开关配置中,能够有效控制负载的电源通断,实现快速响应和低静态功耗。
  另一个关键特性是其低阈值电压(Vth)范围为-0.4V至-1.0V,使其能够在低至-1.8V的栅极驱动电压下正常工作,支持逻辑电平驱动。这意味着它可以与3.3V、2.5V甚至1.8V的数字控制信号兼容,无需额外的驱动电路,简化了系统设计并节省了成本。这种特性对于由微控制器或FPGA直接控制电源路径的应用尤为重要,例如在待机模式下切断外设供电以降低待机功耗。
  器件还具备良好的开关特性,开启时间为7ns,关闭时间为18ns,响应速度快,适合高频开关操作。输入电容仅为230pF,减小了驱动电路的负担,有利于提升整体系统的动态响应能力。同时,ME501210内置一定的ESD保护能力,增强了在实际生产和使用过程中的鲁棒性。其SOT-23封装不仅体积小巧,便于高密度布局,而且具有较好的散热性能,配合合理的PCB布局可有效延长器件寿命。
  此外,该MOSFET在温度变化下的参数稳定性较好,工作结温范围宽达-55°C至+150°C,适用于各种恶劣环境条件下的工业和汽车电子应用。热阻参数表明其在自然对流条件下的散热能力适中,建议在持续大电流应用中增加铜箔面积以改善散热效果。总体而言,ME501210是一款性能均衡、可靠性高的P沟道MOSFET,特别适合中小功率开关和电源管理场景。

应用

ME501210广泛应用于各类需要高效、小型化电源开关解决方案的电子设备中。典型应用包括便携式消费电子产品中的负载开关,例如智能手机和平板电脑中用于控制显示屏、摄像头模组或传感器模块的供电通断。通过微控制器发出的低电平信号即可关断该MOSFET,从而切断外设电源,实现精细化的电源管理策略,延长电池续航时间。
  在电池管理系统(BMS)中,ME501210可用于电池反接保护电路,利用其P沟道特性构建简单的高边开关结构,当电池极性接反时自动阻断电流路径,防止后级电路损坏。同时,它也可作为理想二极管替代方案,用于多电源选择电路或防止电源倒灌,提升系统安全性。
  在嵌入式系统和物联网设备中,该器件常被用于电源域隔离、上电顺序控制以及低功耗待机模式下的电源切断。例如,在Wi-Fi模块或GPS芯片不工作时,使用ME501210将其电源完全断开,避免漏电流造成能量浪费。
  此外,ME501210也适用于DC-DC转换器的同步整流部分、LED驱动电路中的开关控制、USB接口的过流保护开关等场景。由于其封装小巧且易于焊接,非常适合自动化贴片生产,广泛用于智能手机、可穿戴设备、智能家居终端、无线耳机、电子标签等产品中。工业控制领域中的一些低功率继电器驱动或信号切换电路也能受益于其快速响应和低导通损耗特性。

替代型号

ME501210G, ME501210S, AOD403, Si2301DS, DMG2301U, FDN302P, BSS84

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ME501210参数

  • 标准包装2
  • 类别半导体模块
  • 家庭桥式整流器
  • 系列-
  • 电压 - 峰值反向(最大)1200V
  • 电流 - DC 正向(If)100A
  • 二极管类型三相
  • 速度标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间(trr)-
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳模块
  • 包装散装
  • 供应商设备封装模块
  • 其它名称835-1109ME501210-ND