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ME45P04 发布时间 时间:2025/7/4 4:24:07 查看 阅读:9

ME45P04 是一款由 ON Semiconductor 提供的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用小型表面贴装封装(如 SOIC-8 封装),具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于多种电源管理和电机驱动应用。它在消费电子、工业控制以及通信设备领域中被广泛使用。
  ME45P04 的主要功能是作为电子开关或放大器,在电路中提供高效的电流控制和调节能力。

参数

最大漏源电压:40V
  连续漏极电流:2.7A
  导通电阻(典型值):160mΩ
  栅极阈值电压:2V 至 4V
  功耗:0.9W
  工作结温范围:-55℃ 至 +150℃
  封装类型:SOIC-8

特性

ME45P04 具有较低的导通电阻,能够有效减少传导损耗,从而提高整体效率。其高开关速度使得它非常适合高频应用环境。
  此外,该器件还具备出色的热稳定性和可靠性,能够在较宽的工作温度范围内保持性能一致性。
  ME45P04 的小型化封装设计有助于节省印刷电路板空间,适合用于对尺寸敏感的设计方案。
  它还拥有较强的抗保护芯片免受外部干扰的影响。

应用

ME45P04 常用于直流无刷电机驱动、负载开关、电池管理、LED 驱动以及各种降压和升压转换器等场景。
  由于其优良的电气特性和稳定性,这款 MOSFET 在消费类电子产品(如智能手机充电器、平板电脑适配器)、家用电器(如风扇控制器、冰箱压缩机)以及工业自动化设备中都有广泛应用。
  同时,它也适用于汽车电子中的非关键性负载控制,例如座椅加热器或车窗升降系统等辅助功能模块。

替代型号

ME45P05
  IRLML6402
  FDC6501N

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