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ME4068ASPG 发布时间 时间:2025/6/14 17:48:19 查看 阅读:4

ME4068ASPG是一种高性能的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用先进的制造工艺设计。该器件具有较低的导通电阻和较高的开关速度,非常适合用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等应用场合。其封装形式为ASPG,具备良好的散热性能和电气特性。

参数

型号:ME4068ASPG
  类型:N沟道增强型MOSFET
  Vds(漏源极电压):60V
  Rds(on)(导通电阻):4.5mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  Id(连续漏极电流):72A
  Ptot(总耗散功率):130W(在Tc=25℃时)
  Vgs(th)(栅极开启电压):2.0V~4.0V
  f(工作频率):最高可达1MHz
  封装:ASPG

特性

ME4068ASPG具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻Rds(on),能够有效降低功耗并提高效率。
  2. 高电流承载能力,支持大功率应用。
  3. 快速开关特性,适合高频电路设计。
  4. 强劲的雪崩耐量,提高了器件的可靠性。
  5. 紧凑的ASPG封装,便于安装且具有良好的热性能。
  6. 栅极电荷较小,有助于降低驱动损耗。
  7. 符合RoHS标准,环保无铅设计。

应用

ME4068ASPG广泛应用于各种电力电子领域,包括但不限于:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
  2. DC-DC转换器中的同步整流管或主开关管。
  3. 电机驱动电路中的功率级元件。
  4. 电池保护电路中的负载开关。
  5. 各种工业控制设备中的功率转换模块。
  6. LED驱动电路中的关键功率元件。

替代型号

ME4068LSPG, IRFZ44N, FDP5570

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