ME4068ASPG是一种高性能的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用先进的制造工艺设计。该器件具有较低的导通电阻和较高的开关速度,非常适合用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等应用场合。其封装形式为ASPG,具备良好的散热性能和电气特性。
型号:ME4068ASPG
类型:N沟道增强型MOSFET
Vds(漏源极电压):60V
Rds(on)(导通电阻):4.5mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
Id(连续漏极电流):72A
Ptot(总耗散功率):130W(在Tc=25℃时)
Vgs(th)(栅极开启电压):2.0V~4.0V
f(工作频率):最高可达1MHz
封装:ASPG
ME4068ASPG具有以下主要特性:
1. 极低的导通电阻Rds(on),能够有效降低功耗并提高效率。
2. 高电流承载能力,支持大功率应用。
3. 快速开关特性,适合高频电路设计。
4. 强劲的雪崩耐量,提高了器件的可靠性。
5. 紧凑的ASPG封装,便于安装且具有良好的热性能。
6. 栅极电荷较小,有助于降低驱动损耗。
7. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
ME4068ASPG广泛应用于各种电力电子领域,包括但不限于:
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
2. DC-DC转换器中的同步整流管或主开关管。
3. 电机驱动电路中的功率级元件。
4. 电池保护电路中的负载开关。
5. 各种工业控制设备中的功率转换模块。
6. LED驱动电路中的关键功率元件。
ME4068LSPG, IRFZ44N, FDP5570