型号：ME3220-332MLC
　　制造商：Multicomp Pro
　　封装/外壳：0805（2012公制）
　　电容值：3.3nF（3300pF）
　　容差：±20%
　　额定电压：50V DC
　　介电材料：X7R
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　温度特性：ΔC/C ≤ ±15%（在-55°C至+125°C范围内）
　　电容稳定性：中等，适用于非精密定时电路
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　端接类型：镍障层/锡镀层（Ni/Sn）
　　产品系列：ME3220
　　元件生命周期：量产中
　　是否符合RoHS：是

X7R介电材料是ME3220-332MLC的核心特性之一，它赋予了该电容器在宽温度范围内保持相对稳定电容值的能力。具体来说，X7R表示该陶瓷介质能够在-55°C到+125°C的工作温度区间内，保证电容变化率不超过初始值的±15%。这一特性使得ME3220-332MLC非常适合用于对温度漂移有一定容忍度但又要求基本稳定性的应用场景，例如电源去耦、DC-DC转换器的输入输出滤波以及中频信号路径中的耦合与旁路。相比Y5V等低稳定性介质，X7R提供了更优的温度性能；而相较于C0G/NP0这类超稳定但容量较小的介质，X7R则能在相同封装下实现更高的电容密度，因此在性能与成本之间取得了良好平衡。
　　该器件采用多层结构设计，通过交替堆叠陶瓷介质与内部电极（通常为银钯合金或铜）形成多个并联的微型电容器单元，从而在微小体积内实现较高的有效电容值。这种结构不仅提升了单位体积的储能能力，还降低了等效串联电感（ESL），有利于在高频条件下维持较低的阻抗，增强其在高频噪声抑制方面的表现。此外，0805封装尺寸（约2.0mm × 1.25mm）兼顾了自动化贴片的可制造性与PCB空间利用率，适合现代高密度贴装工艺。
　　ME3220-332MLC具备良好的耐湿性和机械强度，经过高温回流焊后仍能保持电气性能稳定。其端电极为三层电极结构（如Cu/Ni/Sn），外层锡层便于焊接，中间镍层作为阻挡层防止金属迁移，内层铜与陶瓷基体结合牢固，提升了长期可靠性。该器件不具极性，适用于交流信号线路，并且在正常工作条件下具有极长的使用寿命。需要注意的是，X7R材料的电容值会随施加的直流偏压升高而下降，因此在高压偏置环境下实际可用电容可能显著低于标称值，设计时应参考厂商提供的直流偏压特性曲线进行降额使用。

ME3220-332MLC广泛应用于各类电子设备中，主要用于电源系统的去耦与滤波。在数字集成电路（如MCU、FPGA、ASIC）的供电引脚附近，该电容器可有效吸收瞬态电流波动，稳定电源电压，减少因开关噪声引起的误动作。在DC-DC转换器和LDO稳压器的输入输出端，它常与其他电容配合构成π型或LC滤波网络，用于平滑纹波电压，提高电源纯净度。此外，在模拟信号链路中，该器件可用于交流耦合电容，阻隔直流分量同时传递音频或中频信号，适用于传感器接口、运算放大器级间耦合等场景。
　　在通信模块中，ME3220-332MLC可用于射频前端的偏置电路旁路，将RF信号接地以防止干扰其他电路部分，同时不影响直流偏置电压的建立。其X7R介质和50V额定电压也使其适用于工业控制设备、汽车电子（非引擎舱）、医疗仪器和消费类电子产品（如智能手机、平板电脑、智能家居设备）中的通用滤波任务。由于其非精密特性，不适合用于振荡电路、定时电路或高Q值滤波器等对电容稳定性要求极高的场合。但在大多数常规去耦和噪声抑制应用中，该器件以其可靠的性能和经济的成本成为工程师的常用选择。

C3216X7R1H332M160AB
　　Kemet C0805X7R1H332M