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ME2805A263XG 发布时间 时间:2025/5/8 12:05:18 查看 阅读:5

ME2805A263XG 是一款高性能、低功耗的 MOSFET 场效应晶体管,广泛应用于电源管理、电机驱动和信号切换等场景。该器件采用了先进的制造工艺,能够提供出色的开关性能和较低的导通电阻,从而有效提升效率并降低能耗。
  该型号属于增强型 N 沟道 MOSFET,适用于各种需要高电流处理能力以及快速开关速度的应用场合。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:45A
  导通电阻:2.6mΩ
  栅极电荷:125nC
  开关时间:开启延迟时间 10ns,上升时间 8ns,关断延迟时间 25ns,下降时间 12ns
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-247

特性

ME2805A263XG 具备以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少功率损耗,提高整体系统效率。
  2. 快速开关速度,确保在高频应用中的卓越表现。
  3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常条件下的可靠性。
  4. 支持较宽的工作温度范围,适应多种恶劣环境需求。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且安全可靠。
  6. 稳定性好,能够在长时间运行中保持一致的性能输出。

应用

这款 MOSFET 主要用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
  2. 电动工具、家用电器以及工业设备中的电机驱动。
  3. 电池保护电路及负载切换。
  4. LED 驱动器和汽车电子系统的功率管理模块。
  5. 可再生能源领域,如太阳能逆变器中的关键组件。

替代型号

ME2805A262XG, IRFZ44N, FDP55N06L

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