ME2805A263XG 时间：2025/5/8 12:05:18 阅读：15

ME2805A263XG 是一款高性能、低功耗的 MOSFET 场效应晶体管，广泛应用于电源管理、电机驱动和信号切换等场景。该器件采用了先进的制造工艺，能够提供出色的开关性能和较低的导通电阻，从而有效提升效率并降低能耗。
　　该型号属于增强型 N 沟道 MOSFET，适用于各种需要高电流处理能力以及快速开关速度的应用场合。

参数

最大漏源电压：30V
　　连续漏极电流：45A
　　导通电阻：2.6mΩ
　　栅极电荷：125nC
　　开关时间：开启延迟时间 10ns，上升时间 8ns，关断延迟时间 25ns，下降时间 12ns
　　工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
　　封装形式：TO-247

特性

ME2805A263XG 具备以下显著特性：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少功率损耗，提高整体系统效率。
　　2. 快速开关速度，确保在高频应用中的卓越表现。
　　3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的可靠性。
　　4. 支持较宽的工作温度范围，适应多种恶劣环境需求。
　　5. 符合 RoHS 标准，环保且安全可靠。
　　6. 稳定性好，能够在长时间运行中保持一致的性能输出。

应用

这款 MOSFET 主要用于以下领域：
　　1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
　　2. 电动工具、家用电器以及工业设备中的电机驱动。
　　3. 电池保护电路及负载切换。
　　4. LED 驱动器和汽车电子系统的功率管理模块。
　　5. 可再生能源领域，如太阳能逆变器中的关键组件。