时间：2025/12/24 5:54:53
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ME2804A30M3G是一款高性能的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种电源管理和功率转换应用。其封装形式为TO-252（DPAK），能够有效提高散热性能并简化电路设计。
该型号特别适合在中小功率场景中使用，例如DC-DC转换器、负载开关、电机驱动和电池保护等应用。由于其优良的电气特性和可靠性，ME2804A30M3G被广泛应用于消费电子、工业设备以及通信设备领域。
漏源电压(Vds)：30V
连续漏极电流(Id)：4.1A
栅极阈值电压(Vgs(th))：1.2V～2.8V
导通电阻(Rds(on))：90mΩ@Vgs=4.5V
导通电阻(Rds(on))：150mΩ@Vgs=2.5V
总功耗(Ptot)：1.2W
工作结温范围(Tj)：-55℃～150℃
封装形式：TO-252(DPAK)
ME2804A30M3G具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻确保了更高的效率和更低的功耗。
2. 高速开关能力使其非常适合高频应用。
3. 小型封装结合出色的散热性能，能够在紧凑的设计中提供高效能。
4. 低栅极电荷(Qg)有助于减少开关损耗。
5. 工作温度范围宽广，适应各种环境条件。
6. 符合RoHS标准，环保且安全可靠。
7. 稳定性高，抗干扰能力强，可长期稳定运行。
ME2804A30M3G的主要应用场景包括：
1. DC-DC转换器中的功率开关。
2. 开关模式电源(SMPS)的同步整流。
3. 各类负载开关和保护电路。
4. 便携式设备中的电池管理。
5. 小型电机驱动和控制。
6. 消费类电子产品中的电源管理模块。
7. 通信设备中的信号调节与功率处理。
8. 工业自动化系统中的低功率驱动电路。
ME2804A30M2G, ME2804A30M1G
