ME25N10 时间：2025/7/2 15:32:06 阅读：23

ME25N10是一款高性能的MOSFET功率晶体管，采用N沟道增强型结构。它广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关等需要高效能和低导通电阻的场景。该器件具有出色的开关特性和热性能，能够承受较高的漏源电压，并提供较低的导通电阻以减少功耗。
　　ME25N10的设计使其在高频应用中表现出色，同时具备快速开关速度和抗雪崩能力，从而提高了系统可靠性和效率。

参数

漏源电压(Vds)：100V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：6.3A
　　导通电阻(Rds(on))：0.17Ω
　　栅极电荷(Qg)：11nC
　　输入电容(Ciss)：1480pF
　　输出电容(Coss)：150pF
　　反向恢复时间(trr)：90ns
　　工作温度范围：-55℃至+150℃

特性

ME25N10的主要特性包括：
　　1. 高击穿电压，支持高达100V的漏源电压，适合多种高压应用场景。
　　2. 低导通电阻设计（Rds(on)仅为0.17Ω），显著降低功耗并提高效率。
　　3. 快速开关性能，配合低栅极电荷和反向恢复时间，非常适合高频电路。
　　4. 具备良好的抗雪崩能力，可有效保护器件免受过流或短路的影响。
　　5. 小尺寸封装选项，便于PCB布局与散热设计。
　　6. 工作温度范围宽广（-55℃至+150℃），适应恶劣环境下的使用需求。

应用

ME25N10适用于以下应用领域：
　　1. 开关电源(SMPS)，如适配器、充电器及DC-DC转换器。
　　2. 电机驱动控制，例如无刷直流电机(BLDC)和步进电机。
　　3. 负载开关和电池管理系统的保护功能。
　　4. 各类工业控制设备中的功率级开关元件。
　　5. 照明电路，特别是LED驱动和调光控制。
　　6. 数据通信设备中的信号隔离和功率调节模块。