ME25N10是一款高性能的MOSFET功率晶体管,采用N沟道增强型结构。它广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关等需要高效能和低导通电阻的场景。该器件具有出色的开关特性和热性能,能够承受较高的漏源电压,并提供较低的导通电阻以减少功耗。
ME25N10的设计使其在高频应用中表现出色,同时具备快速开关速度和抗雪崩能力,从而提高了系统可靠性和效率。
漏源电压(Vds):100V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):6.3A
导通电阻(Rds(on)):0.17Ω
栅极电荷(Qg):11nC
输入电容(Ciss):1480pF
输出电容(Coss):150pF
反向恢复时间(trr):90ns
工作温度范围:-55℃至+150℃
ME25N10的主要特性包括:
1. 高击穿电压,支持高达100V的漏源电压,适合多种高压应用场景。
2. 低导通电阻设计(Rds(on)仅为0.17Ω),显著降低功耗并提高效率。
3. 快速开关性能,配合低栅极电荷和反向恢复时间,非常适合高频电路。
4. 具备良好的抗雪崩能力,可有效保护器件免受过流或短路的影响。
5. 小尺寸封装选项,便于PCB布局与散热设计。
6. 工作温度范围宽广(-55℃至+150℃),适应恶劣环境下的使用需求。
ME25N10适用于以下应用领域:
1. 开关电源(SMPS),如适配器、充电器及DC-DC转换器。
2. 电机驱动控制,例如无刷直流电机(BLDC)和步进电机。
3. 负载开关和电池管理系统的保护功能。
4. 各类工业控制设备中的功率级开关元件。
5. 照明电路,特别是LED驱动和调光控制。
6. 数据通信设备中的信号隔离和功率调节模块。
ME26N10, IRFZ44N, FDN340P