ME2108A50M3G 是一款由 Micron(美光)生产的串行 NAND 闪存芯片。该芯片采用 SPI 接口,适用于需要高密度存储和低引脚数的嵌入式应用。其设计简化了系统架构并降低了 BOM 成本,广泛应用于消费电子、工业控制以及物联网设备中。
ME2108A50M3G 提供 512Mb(64MB)的存储容量,并支持多种命令集以满足不同应用场景的需求。其小尺寸封装与高效能使其成为众多设计的理想选择。
容量:512Mb(64MB)
接口类型:SPI
工作电压(VDD):1.7V 至 3.6V
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
封装形式:WSON16(9x7mm)
数据保留时间:>10年
擦写耐久性:>3000次
ME2108A50M3G 的主要特性包括:
1. 高性能 SPI 接口支持高达 104MHz 的时钟频率。
2. 内置 ECC(错误校正码)引擎,可自动检测和纠正数据传输中的单比特错误。
3. 支持灵活的块管理功能,允许用户对存储区域进行自定义划分。
4. 具备深度掉电模式(Deep Power Down Mode),能够显著降低待机功耗。
5. 完整的安全功能,如写保护和唯一 ID,有助于保护关键数据及提升系统安全性。
6. 符合 JEDEC 标准的串行 NAND 命令集,确保兼容性和易用性。
这些特性使 ME2108A50M3G 在资源受限的环境中表现出色,同时保持了可靠性。
ME2108A50M3G 芯片适合于以下应用领域:
1. 消费类电子产品,例如智能电视、机顶盒、路由器等。
2. 工业自动化设备,如 PLC 控制器和数据记录仪。
3. 物联网终端设备,比如智能家居节点、环境传感器。
4. 手持式医疗设备和便携式测试仪器。
5. 数字标牌和其他需要本地存储的多媒体播放设备。
由于其高可靠性和低功耗特点,ME2108A50M3G 是各种嵌入式系统的理想存储解决方案。
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