时间：2025/12/23 13:42:44
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ME20N10是一款N沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），适用于多种开关和功率管理应用。该器件具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度的特点，广泛用于消费电子、工业控制和汽车电子领域。
型号：ME20N10
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vdss)：100V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大漏极电流(Id)：20A
导通电阻(Rds(on))：10mΩ
总功耗(Ptot)：160W
结温范围(Tj)：-55℃ to 150℃
封装形式：TO-220
ME20N10具备较低的导通电阻，有助于减少传导损耗并提高效率。
其高击穿电压使其能够适应高压工作环境。
该器件拥有良好的热稳定性和可靠性，并支持快速开关操作，从而在高频应用中表现优异。
此外，ME20N10采用了标准的TO-220封装形式，易于安装和集成到各种电路设计中。
ME20N10适合应用于直流-直流转换器、开关电源、电机驱动器、电池保护电路以及负载开关等领域。
它在需要高效功率转换和低功耗的场景下表现出色，例如笔记本电脑适配器、LED照明驱动和电动车控制系统等应用。
同时，该MOSFET也常用于工业设备中的功率调节和信号切换功能模块。
IRFZ44N
STP30NF10
FQP30N06L
