ME04N25-G 时间：2025/5/12 20:00:14 阅读：9

ME04N25-G 是一款基于碳化硅 (SiC) 材料设计的肖特基二极管，具有高耐压、低漏电流和快速开关特性。该器件主要应用于高频开关电源、DC-DC 转换器以及太阳能逆变器等对效率和性能要求较高的场景。
　　其封装形式为 TO-220，能够提供良好的散热性能以支持大功率应用。

参数

额定电压：1200V
　　额定电流：4A
　　正向压降：1.6V（典型值，@If=4A）
　　反向恢复时间：小于 50ns
　　工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
　　结电容：约 15pF（典型值）

特性

ME04N25-G 的核心优势在于其采用了先进的 SiC 技术，与传统硅基二极管相比，具有以下特点：
　　1. 更高的击穿电压，使其能够在更高电压环境下稳定运行。
　　2. 极低的反向恢复时间，减少了开关损耗并提升了系统效率。
　　3. 在高温条件下仍能保持出色的性能，适用于恶劣的工作环境。
　　4. 碳化硅材料的优异热导率保证了器件在大电流下的可靠性。
　　5. 高频应用中表现出色，可显著降低电磁干扰 (EMI)。

应用

这款二极管广泛用于需要高效能量转换的领域，包括但不限于以下方面：
　　1. 高频开关电源中的整流电路。
　　2. 新能源领域的光伏逆变器及风力发电设备。
　　3. 汽车电子中的 DC-DC 转换器和车载充电器。
　　4. 工业自动化设备中的电源模块。
　　5. 不间断电源 (UPS) 和其他储能系统中的关键组件。