时间：2025/8/2 5:37:35
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MDV1951BURH 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）设计和生产的双极型晶体管（BJT）阵列器件。该器件集成了多个晶体管在一个封装中，适用于需要高集成度和紧凑设计的电子电路。MDV1951BURH 特别适合用于需要高增益、低噪声以及高稳定性的应用场合，例如音频放大、开关电路以及信号处理等。由于其紧凑的封装设计和良好的电气性能，该器件广泛应用于消费电子、工业控制以及通信设备等领域。
晶体管类型：NPN/PNP 阵列
集电极-发射极电压（VCEO）：300V
集电极电流（IC）：100mA
功率耗散（PD）：300mW
工作温度范围：-55°C 至 150°C
增益带宽积（fT）：250MHz
电流增益（hFE）：100-800（根据配置不同）
MDV1951BURH 的主要特性包括高集成度，集成了多个晶体管在一个封装中，从而减少了电路板上的元器件数量并简化了电路设计。
此外，该器件具有较高的电压耐受能力（VCEO 为 300V），使其能够在较高电压环境下稳定工作，适用于多种电源管理应用。
其电流增益（hFE）范围较宽，能够根据不同的偏置条件调整放大性能，从而在音频放大和开关电路中表现出色。
同时，该器件具有较低的噪声系数，适用于对信号完整性要求较高的模拟电路设计。
MDV1951BURH 还具备良好的热稳定性，能够在高温环境下保持稳定的性能，确保长时间运行的可靠性。
该器件的封装形式为 SOT-23，体积小巧，便于在高密度 PCB 设计中使用，并且具有较好的散热性能。
MDV1951BURH 主要应用于音频放大器电路中，作为前置放大或驱动级使用，提供高增益和低噪声的信号放大功能。
在开关电路中，该器件可用于控制负载的通断，例如 LED 驱动、继电器控制等。
此外，该器件也常用于信号调理电路，如电压跟随器、缓冲器等，以提高信号的稳定性和驱动能力。
在工业自动化和控制系统中，MDV1951BURH 可用于传感器信号的放大和处理，提高系统的响应速度和精度。
该器件还适用于通信设备中的射频信号放大和调制电路，提供良好的高频性能和稳定性。
消费电子产品中，例如便携式音频设备、智能家电等，也广泛采用该器件以实现紧凑且高效的电路设计。
MJD194, MJD181, MJD192, MJD182
