时间：2025/7/3 17:19:59
阅读：16
MDV1595SU是一款高性能的N沟道增强型MOSFET，采用先进的制造工艺设计，适用于需要高效功率转换和开关性能的应用场景。该器件具有较低的导通电阻、快速开关特性和高击穿电压，能够满足多种电源管理需求。
MDV1595SU的封装形式为TO-263（D2PAK），使其在散热性能和电气连接方面表现出色，非常适合工业、汽车和消费类电子设备中的大电流应用。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：48A
导通电阻：1.7mΩ
栅极电荷：120nC
输入电容：2400pF
工作结温范围：-55℃至175℃
MDV1595SU具备以下显著特点：
1. 极低的导通电阻确保了高效的功率传输，并减少了功率损耗。
2. 高击穿电压保证了其在高压环境下的稳定性与可靠性。
3. 快速开关速度降低了开关损耗，提高了整体效率。
4. 采用TO-263封装，具备出色的热管理和机械强度。
5. 广泛的工作温度范围使其能够在极端环境下稳定运行。
6. 符合RoHS标准，环保且适合现代化生产需求。
MDV1595SU广泛应用于各类大功率电子设备中，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）
2. 电机驱动
3. 工业逆变器
4. 电动汽车（EV）及混合动力汽车（HEV）中的DC/DC转换器
5. 太阳能逆变器
6. 不间断电源（UPS）系统
7. LED照明驱动电路
MDV1595S, IRF1595, FDP159AN
