MDU1721VRH 时间：2025/8/14 1:59:13 阅读：22

MDU1721VRH 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的 P 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率、高可靠性的功率管理应用设计，常用于 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统以及电源管理模块中。该 MOSFET 采用先进的工艺制造，具备低导通电阻（Rds(on)）、良好的热稳定性和较高的电流承载能力，适合在中低功率应用中使用。

参数

类型：P 沟道 MOSFET
　　最大漏极电压（Vds）：-20V
　　最大栅极电压（Vgs）：±12V
　　最大连续漏极电流（Id）：-4.1A
　　导通电阻（Rds(on)）：28mΩ @ Vgs = -4.5V，40mΩ @ Vgs = -2.5V
　　功耗（Ptot）：1.4W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TSOP6

特性

MDU1721VRH 采用了先进的 STripFET? 技术，具有非常低的导通电阻和出色的热性能，从而减少了功率损耗并提高了整体效率。其 P 沟道结构使其在高边开关应用中表现出色，尤其适用于同步整流和负载开关设计。该器件的栅极驱动电压范围较宽（从 -2.5V 到 -4.5V），使其能够与多种控制器和驱动器兼容，包括低电压数字控制器。此外，该 MOSFET 具有良好的抗雪崩能力和热稳定性，能够在恶劣的工作条件下保持稳定运行。
　　MDU1721VRH 的 TSOP6 封装形式具有较小的封装尺寸，便于在空间受限的设计中使用，同时提供了良好的散热性能。其封装材料符合 RoHS 标准，并支持无铅焊接工艺，满足现代电子设备对环保和可持续性的要求。此外，该器件的可靠性高，经过严格的测试和验证，适用于工业、消费电子和汽车电子等多个领域。

应用

MDU1721VRH 常用于多种电源管理应用，包括但不限于 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统、电源适配器、移动设备电源管理模块以及工业控制系统中的功率开关。由于其高效率和小尺寸特性，该器件也适用于需要紧凑设计和高效能的便携式电子产品，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。此外，在汽车电子系统中，如车载充电器、车身控制模块和电动助力转向系统中，该 MOSFET 也具有广泛的应用前景。