类型：双通道隔离式栅极驱动器
　　通道数：2（高低边）
　　隔离耐压：3000VRMS（1分钟，UL认证）
　　工作电压范围（VDD1/VDD2）：10V 至 30V
　　输出峰值电流：±2.5A
　　传播延迟时间：≤100ns
　　上升/下降时间：≤40ns（典型值）
　　共模瞬态抗扰度（CMTI）：≥100kV/μs
　　最大开关频率：1MHz
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　封装形式：SOP-8 Wide Body
　　绝缘材料：聚酰亚胺（Polyimide）
　　安全认证：UL1577，VDE0884-10（增强型隔离）

MDS2662的核心特性之一是其高性能的电容隔离技术，通过在芯片内部集成高介电强度的聚酰亚胺绝缘层，实现了输入与输出之间的电气隔离。这种结构不仅显著提升了抗共模噪声的能力，还能有效抑制地环路干扰，确保控制信号在高压环境中精确传输。其高达100kV/μs的共模瞬态抗扰度（CMTI）使得该器件在电机驱动和太阳能逆变器等强电磁干扰场合下依然保持稳定运行，避免因电压突变导致误触发。
　　另一个关键特性是双通道独立驱动架构。两个通道分别对应高边和低边开关器件的驱动需求，每个通道都具备独立的逻辑输入和输出驱动电路，支持半桥拓扑结构的应用。这种设计允许用户灵活配置死区时间，防止上下桥臂同时导通造成短路事故。同时，每个通道均配备快速响应的输出级，可在纳秒级时间内完成开关动作，从而降低开关损耗，提升整体系统效率。
　　内置多重保护机制也是MDS2662的重要优势。芯片集成了欠压锁定（UVLO）功能，当电源电压低于设定阈值时，会自动关闭输出以防止功率器件工作在非正常状态。此外，还具备过温保护功能，在芯片温度超过安全限值时启动热关断机制，保障长期运行的可靠性。所有这些保护措施均无需外部额外元件即可实现，简化了外围电路设计，降低了整体BOM成本。
　　最后，MDS2662具有良好的兼容性和易用性。其输入端兼容3.3V和5V逻辑电平，可直接连接微控制器或DSP输出信号，无需电平转换电路。输出驱动能力强，可直接驱动大栅极电荷的MOSFET或IGBT模块，减少了对外部缓冲级的需求。综合来看，该芯片将高隔离性能、快速响应、高集成度和强健保护融为一体，适用于对安全性与效率要求严苛的工业电力电子系统。

MDS2662广泛应用于各类需要高可靠性隔离驱动的电力电子系统中。首先，在工业电机驱动领域，它被用于三相逆变器中的半桥驱动单元，驱动IGBT或SiC MOSFET模块，实现对交流电机的精准控制。由于其高CMTI和快速响应特性，特别适合在变频器、伺服驱动器和电动工具中使用。
　　其次，在新能源发电系统中，MDS2662常用于光伏逆变器和储能系统的DC-AC转换环节。在这些应用中，高边驱动需承受较高的浮动电压，而MDS2662提供的增强型隔离能力确保了控制侧与功率侧的安全分离，防止高压窜入低压控制回路。同时，其支持高频工作的特性有助于减小滤波元件体积，提升系统功率密度。
　　此外，该芯片也适用于电动汽车车载充电机（OBC）、DC-DC变换器以及UPS不间断电源等高端电源设备。在这些应用中，系统对效率、可靠性和安全性要求极高，MDS2662凭借其稳定的驱动性能和内置保护功能，成为理想的栅极驱动解决方案。
　　在通用开关电源领域，尤其是采用LLC谐振拓扑或有源钳位反激结构的高效率电源中，MDS2662可用于同步整流或主开关驱动，提高整体能效并增强系统鲁棒性。其宽工作电压范围和低温漂特性使其在宽温环境下仍能保持一致性能表现，适应从工业现场到户外设备的多样化部署需求。

MDS2661
　　MDG2662
　　SICP2662
　　ISO5500