MDR774M-T 时间：2025/5/7 15:00:55 阅读：6

MDR774M-T是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-220封装形式。该器件适用于高效率、低损耗的功率转换应用场合。其主要特点包括低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，能够满足工业级和消费级电子产品的设计需求。
　　MDR774M-T在电源管理、电机驱动以及负载开关等领域表现优异，能够在高频工作条件下提供高效的功率传输。

参数

最大漏源电压：8：15A
　　导通电阻：30mΩ
　　栅极电荷：65nC
　　开关时间：ton=9ns, toff=16ns
　　结温范围：-55℃至+175℃

特性

MDR774M-T具有较低的导通电阻，这有助于减少传导损耗并提高系统效率。
　　该器件的高开关速度可以降低开关损耗，从而在高频应用中表现出色。
　　采用TO-220封装，具备良好的散热性能，确保在高功率环境下稳定运行。
　　其栅极阈值电压经过优化，能够兼容标准逻辑电平驱动，便于电路设计。
　　同时，它具有较强的抗雪崩能力，在异常条件下也能保证可靠性。

应用

MDR774M-T广泛应用于开关电源（SMPS）、直流-直流转换器、电机驱动器、负载开关和电池保护等场景。
　　在开关电源中，该器件可用作同步整流管以提升效率。
　　在电机驱动应用中，MDR774M-T适合用于H桥或半桥拓扑结构，控制直流或无刷直流电机。
　　此外，由于其低导通电阻和快速开关特性，也适用于需要高效功率转换的便携式设备和工业自动化设备中。