MDR630E-T 时间：2025/7/4 23:48:33 阅读：16

MDR630E-T是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于STMicroelectronics（意法半导体）的MDmesh系列。该器件具有低导通电阻和高雪崩能力，适用于各种开关应用。它通常用于功率转换、电机控制、负载切换以及其他需要高效功率管理的场景。
　　MDR630E-T的最大漏源电压为650V，使其适合在高压环境中使用。同时，其低导通电阻有助于减少功率损耗，提高整体系统效率。

参数

最大漏源电压：650V
　　最大连续漏极电流：3.2A
　　导通电阻（典型值，在Vgs=10V时）：1.2Ω
　　栅极电荷：37nC
　　输入电容：1480pF
　　工作结温范围：-55°C至+175°C

特性

MDR630E-T具备以下主要特性：
　　1. 高电压耐受能力，最大漏源电压达650V，适用于高压应用场景。
　　2. 低导通电阻（典型值为1.2Ω），有效降低功率损耗并提升效率。
　　3. 高雪崩能力，提供更强的过载保护性能。
　　4. 快速开关速度，有助于减少开关损耗。
　　5. 封装形式为TO-220，便于安装和散热。
　　6. 广泛的工作温度范围（-55°C至+175°C），适应多种环境条件。

应用

MDR630E-T适用于以下应用场景：
　　1. 开关电源（SMPS）中的功率开关元件。
　　2. 电机驱动和控制电路中的功率级开关。
　　3. 各类负载切换应用，例如家用电器、工业设备等。
　　4. 电池充电器和DC-DC转换器中的功率开关。
　　5. 电磁阀驱动和LED照明系统的功率管理。
　　由于其高电压和低导通电阻的特点，MDR630E-T特别适合需要高效功率管理的高压应用。