型号：MDP9N60TH
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：600 V
　　连续漏极电流（Id）：9 A（@ 25°C）
　　脉冲漏极电流（Idm）：36 A
　　栅源电压（Vgs）：±30 V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.85 Ω（@ Vgs = 10 V, Id = 4.5 A）
　　阈值电压（Vgs(th)）：3 V ~ 5 V（典型值约4 V）
　　输入电容（Ciss）：1100 pF（@ Vds = 25 V）
　　输出电容（Coss）：260 pF
　　反向恢复时间（trr）：未集成体二极管快速恢复功能
　　最大功耗（Pd）：83 W（@ 25°C）
　　工作结温范围（Tj）：-55 °C 至 +150 °C
　　封装：TO-220F

MDP9N60TH采用安森美的高压超级结（Super Junction）技术，显著降低了导通损耗与开关损耗之间的权衡，使得器件在高频开关应用中表现出优异的能效。其低导通电阻Rds(on)确保在大电流工作状态下仍能保持较低的温升，从而提高系统整体效率并减少散热设计负担。该器件具有较高的栅极阈值电压，增强了抗噪声能力，避免因误触发导致的短路风险。此外，其优化的内部结构有效抑制了米勒效应，降低了开关过程中的振荡现象，提升了系统的稳定性。
　　该MOSFET具备出色的雪崩耐量能力，在发生感性负载突变或电压过冲时能够承受一定的能量冲击而不损坏，提高了电源系统的鲁棒性。其封装采用绝缘设计（如TO-220F），允许直接安装在接地散热片上而无需额外绝缘垫片，简化了热管理结构并降低了组装成本。器件符合RoHS环保标准，并通过了多项工业级可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、高温栅极偏置（HTGB）和高压应力测试等，确保长期运行的可靠性。
　　在动态性能方面，MDP9N60TH具有较低的输入和输出电容，减少了驱动电路所需的电流和功耗，特别适合搭配低成本驱动IC使用。其体二极管虽非专门优化用于快速恢复，但在常规反向恢复过程中仍表现良好，适用于大多数非谐振拓扑结构。综合来看，该器件在性能、可靠性和成本之间实现了良好平衡，是中高功率开关电源设计中的理想选择之一。

MDP9N60TH主要应用于各类中高功率开关模式电源（SMPS），如AC-DC适配器、PC电源、服务器电源和工业电源模块。其高耐压特性使其适用于PFC（功率因数校正）电路中的升压开关管，尤其在连续导通模式（CCM）下表现稳定。此外，该器件也常用于LED恒流驱动电源、太阳能逆变器的DC-DC级以及小型电机驱动电路中，作为主开关元件实现高效能量转换。
　　在家电领域，MDP9N60TH可用于空调、洗衣机和冰箱等变频控制系统中的功率切换部分，支持节能与智能调速功能。由于其具备良好的热稳定性和抗干扰能力，也被广泛用于工业自动化设备、UPS不间断电源和充电站等对可靠性要求较高的场合。同时，得益于其通孔封装形式，便于手工焊接与维修，因此在中小批量生产和原型开发中也受到工程师青睐。

FQP9N60C, STP9NK60ZFP, IPD9N60S