MDP9N60 时间：2025/7/23 13:41:14 阅读：20

MDP9N60是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理和功率转换电路中。该器件采用先进的平面条纹和沟槽技术，提供了优异的开关性能和导通损耗特性，适合高频率、高效率的电源应用。MDP9N60封装形式通常为TO-220或TO-263（D2PAK），适用于多种工业标准。

参数

类型：N沟道
　　漏源电压（VDS）：600V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）@25℃：9A
　　功耗（PD）：40W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　导通电阻（RDS(ON)）：典型值为0.85Ω（最大1.1Ω）
　　输入电容（Ciss）：约950pF
　　开关时间：导通延迟时间（td(on)）约11ns，关断延迟时间（td(off)）约55ns

特性

MDP9N60具有多项显著的性能优势。首先，其高耐压能力（600V VDS）使其适用于多种中高压电源转换场景，例如AC/DC转换器、DC/DC转换器以及马达驱动电路。其次，该器件具有较低的导通电阻（RDS(ON)），这有助于减少导通损耗，提高系统效率。此外，MDP9N60采用了先进的封装技术，具备良好的热稳定性，能够在高功率运行条件下保持较低的温升，从而提升系统的可靠性。
　　在开关性能方面，MDP9N60具有较快的开关速度，这主要得益于其较低的输入电容（Ciss）和优化的内部结构。这使得该器件适用于高频开关应用，如开关电源（SMPS）和LED驱动电源。此外，其栅极驱动电压范围较宽（±20V），兼容多种驱动电路设计，提高了设计的灵活性。
　　从封装角度来看，MDP9N60通常采用TO-220或D2PAK封装，这两种封装形式均具有良好的散热性能和机械强度，便于在各种PCB布局中安装和使用。

应用

MDP9N60常用于各种功率电子设备中，主要包括开关电源（SMPS）、电池充电器、LED照明驱动电源、电动工具、马达控制电路以及家用电器中的电源模块。此外，该器件也适用于需要高效率、高频率开关操作的工业控制设备和通信设备中的电源部分。由于其高耐压和低导通电阻的特性，它在需要高可靠性和高性能的电源系统中表现出色。