时间：2025/7/2 12:40:13
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MDP6N60TH是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-252封装形式。该器件广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效功率管理的场合。由于其低导通电阻和高击穿电压特性，MDP6N60TH在高频开关应用中表现出色，能够有效降低功耗并提高系统效率。
最大漏源电压：600V
最大连续漏极电流：1.8A
最大脉冲漏极电流：7.9A
导通电阻（Rds(on)）：3.4Ω
栅极-源极电压（Vgs(th)）：2V~4V
总功耗：140W
工作温度范围：-55℃~+150℃
MDP6N60TH具有以下显著特性：
1. 高击穿电压（600V），适合高压应用场景。
2. 低导通电阻（3.4Ω），有助于减少传导损耗。
3. 快速开关速度，支持高频操作。
4. 良好的热稳定性和可靠性，适用于恶劣环境。
5. 小型TO-252封装设计，节省PCB空间。
6. 支持表面贴装工艺，便于自动化生产。
MDP6N60TH主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. DC-DC转换器中的同步整流或主开关。
3. 电机驱动电路中的功率级元件。
4. 逆变器和不间断电源（UPS）系统。
5. 各种工业控制和汽车电子设备中的功率管理模块。
IRF640N, STP60NF06L
