MDP18N50 时间：2025/7/26 4:29:34 阅读：5

MDP18N50 是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要设计用于高功率和高电压应用。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）和高击穿电压的特点，适用于电源管理、开关电源（SMPS）、逆变器、马达驱动和电池充电系统等领域。MDP18N50采用TO-252（DPAK）封装，具有良好的热性能和紧凑的尺寸，适合于需要高效能和空间限制的应用。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：500V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　漏极电流（ID）：18A（连续）
　　导通电阻（RDS(on)）：0.23Ω @ VGS = 10V
　　功率耗散（PD）：125W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装：TO-252（DPAK）

特性

MDP18N50 MOSFET 的主要特性之一是其出色的导通性能和低导通损耗，这使其在高频率开关应用中表现出色。该器件具有较高的击穿电压（500V），能够承受较高的电压应力，从而提高了系统的可靠性和稳定性。此外，MDP18N50的低栅极电荷（Qg）和快速开关特性有助于降低开关损耗，提高整体能效。
　　该MOSFET采用先进的平面工艺制造，具有优异的热性能，能够在高负载条件下保持较低的工作温度。其TO-252（DPAK）封装不仅提供了良好的散热能力，还支持表面贴装技术（SMT），便于在PCB上安装和组装。
　　在安全性和保护方面，MDP18N50具有较高的抗静电放电（ESD）能力，并能承受一定的雪崩能量，适用于需要高可靠性的工业和电源管理系统。

应用

MDP18N50 主要应用于高电压和高功率场景中，例如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC适配器、逆变器、马达驱动电路以及电池充电系统。其低导通电阻和高耐压特性使其成为电源管理和功率转换设备中的理想选择。
　　在工业自动化领域，MDP18N50可用于驱动继电器、电磁阀和直流马达等负载。在新能源应用中，如太阳能逆变器和储能系统，该MOSFET可以作为关键的功率开关元件。此外，它也适用于消费类电子产品中的电源管理模块，例如笔记本电脑适配器、LED照明驱动器等。
　　由于其良好的热稳定性和可靠性，MDP18N50也常用于汽车电子系统，如车载充电器、电动工具和电池管理系统。