时间：2025/12/28 12:26:26
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MDP1603221G 是一款由 Rohm（罗姆）公司制造的 N 沟道功率 MOSFET，广泛用于需要高效率和高功率密度的电源管理系统中。该器件采用高性能硅技术，具有较低的导通电阻（Rds(on)）和良好的热性能，适用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动器和负载开关等应用。MDP1603221G 的设计旨在优化功率损耗并提高整体系统效率，同时具备较高的可靠性和耐用性。
类型：N 沲功率 MOSFET
漏极电流 (Id)：160A
漏极-源极电压 (Vds)：30V
栅极-源极电压 (Vgs)：±20V
导通电阻 (Rds(on))：2.2mΩ @ Vgs=10V
功耗 (Pd)：250W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装类型：TO-247
引脚数：3
MDP1603221G 采用 Rohm 的先进功率 MOSFET 技术，具有非常低的导通电阻（Rds(on)），确保在高电流条件下仍能保持较低的功率损耗。其 Rds(on) 值在 Vgs=10V 时仅为 2.2mΩ，使得该器件在大电流负载下运行时仍能保持优异的效率表现。
该 MOSFET 具有高达 160A 的连续漏极电流能力，漏极-源极耐压为 30V，适用于高功率密度的开关电源和 DC-DC 转换器。此外，其最大栅极-源极电压为 ±20V，确保了在各种驱动条件下的稳定性和可靠性。
封装方面，MDP1603221G 采用 TO-247 封装，具有良好的散热性能，适用于需要高功率耗散能力的工业级应用。其最大功耗为 250W，能够在较高温度环境下稳定运行。该器件的工作温度范围为 -55°C 至 +175°C，适合在各种严苛的环境中使用。
MDP1603221G 的内部结构经过优化设计，减少了开关损耗和导通损耗，从而提高了整体系统效率。此外，该器件具备出色的抗雪崩能力和高耐用性，能够承受瞬时过载和高能脉冲，保证系统的稳定性和可靠性。
MDP1603221G 适用于多种高功率电子系统，包括但不限于以下应用领域：
? 开关电源（SMPS）
? DC-DC 转换器和稳压器
? 电机驱动器和电动工具
? 电池管理系统（BMS）
? 负载开关和电源分配系统
? 工业自动化设备和电力电子装置
? 高效节能 LED 照明系统
? 电动汽车（EV）充电设备和车载电源系统
? 太阳能逆变器和储能系统
SiHF160N03-GE3, IPB160N04N3 G, FDBL160N03A0-F085
