型号：MDP14N25CTH
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：250V
　　连续漏极电流（Id @ 25°C）：14A
　　脉冲漏极电流（Idm）：56A
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on) max @ Vgs = 10V）：0.22Ω
　　导通电阻（Rds(on) max @ Vgs = 5V）：0.27Ω
　　阈值电压（Vgs(th)）：典型3.0V，范围2.0~4.0V
　　输入电容（Ciss）：典型值约850pF @ Vds=25V
　　输出电容（Coss）：典型值约350pF @ Vds=25V
　　反向恢复时间（trr）：典型值约47ns
　　最大功耗（Pd）：125W @ TC=25°C
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220

MDP14N25CTH具备多项关键特性，使其在中等功率开关应用中表现出色。首先，其250V的漏源击穿电压确保了在高压环境下的稳定运行，适用于离线式开关电源和AC-DC转换器等需要直接连接市电整流后工作的场景。其次，低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通状态下的功率损耗，尤其在大电流负载下可有效提升系统效率并减少发热。该器件在Vgs=10V时Rds(on)最大仅为0.22Ω，即便在Vgs=5V条件下也能保持0.27Ω的较低水平，表明其对驱动信号的要求较为宽松，兼容多种逻辑电平驱动器或控制器输出。
　　该MOSFET采用了优化的单元设计和场板结构，有效抑制了电场集中效应，提高了器件的耐压能力和长期可靠性。其快速开关特性得益于较低的栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qsw），使得在高频操作（如数十kHz至数百kHz）中能够实现更短的开关过渡时间，降低开关损耗，进而提升整体电源系统的能效表现。此外，器件具有较高的雪崩能量等级（EAS），可在突发过压或感性负载关断过程中吸收一定能量而不发生永久性损坏，增强了系统的抗干扰能力和安全性。
　　热稳定性方面，TO-220封装提供了良好的热传导路径，配合外部散热片可将结温控制在安全范围内。器件的最大功耗为125W（在壳温25°C时），且结温范围宽达-55°C至+150°C，适用于恶劣工业环境。内置体二极管具有较快的反向恢复特性（trr约47ns），减少了在同步整流或桥式拓扑中的反向恢复损耗。综合来看，MDP14N25CTH在性能、可靠性和成本之间实现了良好平衡，是许多中功率电源设计的理想选择。

MDP14N25CTH广泛应用于各类中等功率电力电子设备中。其主要用途包括开关模式电源（SMPS），例如适配器、充电器、PC电源模块等，在这些应用中作为主开关管或同步整流管使用，利用其低导通电阻和高效率优势提升整体能效。在DC-DC变换器中，该器件可用于升压（Boost）、降压（Buck）或反激（Flyback）拓扑结构，特别是在输入电压较高或输出功率较大的设计中表现优异。
　　在工业控制领域，MDP14N25CTH常用于电机驱动电路、电磁阀控制和继电器替代方案中，凭借其快速响应和高耐压能力实现精确的功率控制。此外，它也被用于照明系统，如LED驱动电源和电子镇流器，支持高效稳定的恒流输出。在可再生能源系统中，该MOSFET可应用于小型光伏逆变器或太阳能充放电控制器中，承担功率切换和能量调节功能。
　　由于其具备较强的瞬态耐受能力，该器件也适用于存在电压波动或浪涌冲击的环境，如电网不稳定区域的电源设备。同时，因其符合环保标准且封装成熟，易于替换和维护，故在消费类电子产品、工业电源模块及自动化设备中均有广泛应用。无论是连续工作还是间歇性负载，MDP14N25CTH均能提供可靠的性能保障，满足多样化设计需求。

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　　 "FQP14N25C",
　　 "STP14NF25",
　　 "IRFZ48N",
　　 "SPW20N25C-12",
　　 "APT14N25L"
　　]