类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：20V
　　栅源电压（Vgs）：±8V
　　连续漏极电流（Id）：4A
　　导通电阻（Rds(on)）：60mΩ（最大值，Vgs=4.5V）
　　输入电容（Ciss）：约 200pF
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TSSOP-4

MDP1401RGE04 功率 MOSFET 具备一系列优秀的电气和热性能，适用于多种高频和高效率电源应用。
　　首先，该器件的最大漏源电压为 20V，支持在低电压系统中使用，例如便携式电子产品、电池管理系统和低压 DC-DC 转换器。其连续漏极电流能力达到 4A，能够满足中等功率负载的需求。
　　其次，该 MOSFET 的导通电阻（Rds(on)）在 Vgs=4.5V 时最大为 60mΩ，这有助于降低导通损耗，提高整体系统的能效。此外，低 Rds(on) 特性还减少了在高电流条件下的功率损耗和温升，提高了系统的稳定性。
　　该器件的栅极驱动电压范围为 ±8V，推荐在 4.5V 至 8V 之间工作，以确保充分导通并降低开关损耗。输入电容约为 200pF，较低的输入电容有助于提高开关速度，从而适用于高频开关应用。
　　MDP1401RGE04 采用 TSSOP-4 封装，具有良好的热性能和较小的占板空间，非常适合便携式设备和高密度 PCB 布局设计。该器件的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，适应各种环境条件下的稳定运行。
　　此外，该 MOSFET 还具备良好的抗静电能力和可靠性，适用于各种工业和消费类电子产品中的电源管理模块。

MDP1401RGE04 MOSFET 主要用于以下类型的电子系统中：电源管理、同步整流、DC-DC 转换器、负载开关、电池充电和放电管理、电机驱动电路以及各类低电压高效率开关电源。其紧凑的封装和高性能特性使其成为便携式电子设备（如智能手机、平板电脑、笔记本电脑和可穿戴设备）中的理想选择。此外，该器件也适用于工业自动化设备、传感器模块和小型电机控制系统。

Si2302DS, AO3400A, BSS138K, 2N7002K