时间：2025/7/14 15:49:22
阅读：10
MDP08N055TH是一款高性能的N沟道功率MOSFET，由Renesas Electronics公司生产。该器件专为高效率电源转换应用设计，具有低导通电阻、高电流承载能力和快速开关特性。MDP08N055TH采用先进的沟槽式MOSFET技术，确保在高频工作条件下仍能保持优异的性能。
类型：N沟道
漏源电压（Vds）：55 V
栅源电压（Vgs）：±20 V
连续漏极电流（Id）：120 A（在Tc=25℃时）
导通电阻（Rds(on)）：5.5 mΩ（最大值，在Vgs=10 V时）
功耗（Pd）：200 W
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装形式：TO-263（D2Pak）
MDP08N055TH具备多项优异特性，使其非常适合用于高功率和高频率的应用场景。其低导通电阻（Rds(on)）可以显著降低导通损耗，提高系统的整体效率。该器件采用了先进的沟槽式结构，提供了更小的芯片尺寸和更高的电流密度，从而实现了更快的开关速度和更低的开关损耗。
此外，MDP08N055TH还具有较高的热稳定性和耐久性，能够在恶劣的工作环境下保持稳定运行。其封装形式为TO-263（D2Pak），具有良好的散热性能，适用于表面贴装技术（SMT）。该器件内置了防静电保护（ESD）功能，能够有效防止静电对器件造成损坏。
MDP08N055TH还具有良好的线性工作区稳定性，适用于线性稳压器和其他需要精确控制的应用。其栅极驱动特性优化，减少了驱动电路的复杂性，并提高了系统的可靠性。
MDP08N055TH广泛应用于各种电力电子设备中，包括DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统、负载开关以及工业自动化设备中的功率开关模块。由于其高效能与高可靠性，它也常被用在汽车电子系统如电动助力转向系统（EPS）、车载充电器（OBC）及其它车载功率管理系统中。
SiR862DP, Nexperia PSMN055-55PS, ON Semiconductor NVTFS5C471NL
