MDNA85P2200TG 时间：2025/8/5 21:22:31 阅读：34

MDNA85P2200TG 是一款由 Microsemi（现为 Microchip Technology）生产的 P 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高功率和高电压的应用场景。这款 MOSFET 设计用于高效能的功率管理，具有低导通电阻、高电流能力和高可靠性等优点，广泛应用于工业控制、电源管理和汽车电子等领域。

参数

类型：P 沟道 MOSFET
　　最大漏极电压（VDS）：-85V
　　最大漏极电流（ID）：-220A
　　导通电阻（RDS(on)）：1.8mΩ（典型值）
　　栅极电压范围：-20V 至 0V
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装类型：TO-264

特性

MDNA85P2200TG MOSFET 的主要特性之一是其低导通电阻（RDS(on)），这有助于降低导通损耗，提高系统效率。其导通电阻仅为 1.8mΩ，使得在高电流应用中也能保持较低的功率损耗。此外，该器件具有高电流承载能力，最大漏极电流可达 -220A，适用于高功率密度的设计。
　　该 MOSFET 还具有良好的热稳定性，能够在高温环境下可靠工作，最大工作温度可达 175°C。这种高耐热性使其适用于需要高可靠性的工业和汽车应用。同时，其 -85V 的最大漏极电压使其能够承受较高的电压应力，适用于各种电源转换和管理应用。
　　MDNA85P2200TG 采用 TO-264 封装，这种封装形式具有良好的散热性能，有助于提高器件在高功率应用中的可靠性。TO-264 是一种常见的大功率封装，广泛用于高功率 MOSFET 和功率晶体管中，便于在 PCB 上安装和散热设计。

应用

MDNA85P2200TG 主要应用于需要高功率和高可靠性的场景，例如直流-直流转换器（DC-DC Converters）、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、不间断电源（UPS）和工业自动化控制系统。在这些应用中，该器件的低导通电阻和高电流能力能够显著提升系统的效率和性能。
　　在汽车电子领域，该 MOSFET 可用于车载充电系统、电动车辆的功率管理系统以及车载逆变器等设备。其高耐压和高耐流能力使其能够承受汽车电子系统中常见的电压波动和高电流负载。
　　此外，MDNA85P2200TG 还可用于服务器电源、通信设备电源和工业电机控制等应用。在这些高功率设备中，该 MOSFET 能够提供可靠的功率控制和管理，确保系统的稳定运行。