时间：2025/9/6 22:18:11
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MDN250BB20是一款由STMicroelectronics生产的双路N通道功率MOSFET芯片，专为高效能功率转换应用设计。该芯片采用双MOSFET结构，集成了两个独立的N通道MOSFET，适用于需要高电流和高效率的电源管理场合，例如DC-DC转换器、负载开关和电机驱动电路等。其封装形式为PowerSSO-16，具有良好的热管理和紧凑的设计。
类型：N通道功率MOSFET
配置：双路MOSFET
漏源电压（Vds）：25V
连续漏极电流（Id）：5.5A（每个通道）
栅极阈值电压（Vgs(th)）：1V至2.5V
导通电阻（Rds(on)）：45mΩ（每个通道，典型值）
最大功耗：3W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：PowerSSO-16
MDN250BB20具有低导通电阻的特点，有助于减少功率损耗并提高整体效率。其双通道设计允许在单个封装中实现多个功率控制功能，从而简化电路布局并减少PCB空间占用。
此外，该器件具有较高的热稳定性，能够在高负载条件下保持稳定工作，且具备良好的抗瞬态电压能力，确保在复杂电磁环境中可靠运行。
内置的静电放电（ESD）保护功能也增强了器件在制造和操作过程中的可靠性。其栅极驱动电压范围较宽，兼容多种控制器的输出电压水平，便于设计和集成。
最后，该芯片还支持快速开关操作，有助于减少开关损耗并提升高频应用的性能。
MDN250BB20广泛应用于各类需要高效功率管理的电子系统中。例如，在DC-DC转换器中，它可以用作高边和低边开关，以实现高效的升压或降压操作。
在负载开关电路中，该芯片可以用于控制电源分配，提供快速的开关响应和低静态功耗。
此外，它还适用于小型电机驱动器、LED背光调节电路以及电池供电设备中的功率控制模块。
由于其紧凑的封装和优异的热性能，该器件也常用于空间受限的便携式电子产品中。
IPD120N25N3 G, NDS355AN
