时间：2025/12/27 10:45:18
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MDMK3030T2R2MMV是一款由MultiDimension（多维科技）推出的高性能、小尺寸贴片式磁阻传感器，属于其TMR（隧道磁阻，Tunneling Magnetoresistance）传感器产品线。该器件利用先进的纳米级TMR技术，具备极高的灵敏度、优异的温度稳定性和低功耗特性，适用于对精度和可靠性要求较高的工业、汽车电子和消费类应用场景。MDMK3030T2R2MMV采用微型3030封装（即3.0mm x 3.0mm），便于集成于空间受限的电路板中，广泛用于电流检测、位置感应、速度测量及非接触式开关等系统中。该传感器内部集成了TMR敏感元件和信号调理电路，输出为模拟电压信号，其输出电压与外加磁场强度呈线性关系，便于与微控制器或ADC直接接口。此外，该器件具有良好的抗外界干扰能力，能够在复杂电磁环境中稳定工作。
型号：MDMK3030T2R2MMV
封装类型：SMD，3030（3.0mm x 3.0mm）
感应技术：TMR（隧道磁阻）
额定电阻：2.2 kΩ（典型值）
工作电压范围：1.8 V 至 5.5 V
工作温度范围：-40°C 至 +150°C
灵敏度：≥ 80 mV/V/Oe（典型值）
输出类型：模拟比例输出
静态输出电压：VCC/2（典型值，无磁场时）
非线性度：< 1% FS
响应频率带宽：DC 至 1 MHz
磁滞：≤ 0.5 mT
ESD耐压：±4 kV（HBM）
MDMK3030T2R2MMV的核心优势在于其采用的TMR（隧道磁阻）技术，相较于传统的霍尔效应传感器和AMR（各向异性磁阻）传感器，TMR技术在灵敏度、信噪比和功耗方面具有显著提升。其灵敏度可达80 mV/V/Oe以上，远高于传统霍尔器件的几mV/V/Oe水平，这意味着在弱磁场环境下也能实现高精度检测，特别适用于微小位移、低电流传感等对分辨率要求极高的场合。该传感器的输出为比例式模拟电压，输出中点为VCC/2，在正负磁场作用下输出电压对称变化，便于双向磁场检测。
该器件具备宽达-40°C至+150°C的工作温度范围，确保其在高温工业环境或汽车引擎舱等恶劣条件下仍能保持稳定性能。同时，其工作电压范围宽（1.8V~5.5V），兼容3.3V和5V系统，增强了系统的通用性和设计灵活性。由于TMR元件本身功耗极低，整个传感器在待机和工作状态下的电流消耗均处于微安级别，适合电池供电设备和低功耗物联网应用。
MDMK3030T2R2MMV还具备优异的线性度和低磁滞特性，非线性度小于1%满量程，磁滞低于0.5mT，保证了长期使用的测量重复性和精度稳定性。其封装采用标准贴片工艺，便于自动化贴装，且具备良好的机械强度和热匹配性。内置的信号调理电路有效抑制了噪声和温漂，提升了整体信噪比。此外，该器件通过了严格的ESD防护测试（±4kV HBM），提高了在实际应用中的可靠性和抗干扰能力。
MDMK3030T2R2MMV凭借其高灵敏度、小尺寸和高可靠性，广泛应用于多个领域。在工业自动化中，常用于电机换向检测、编码器位置反馈、气缸活塞位置监测等精密控制场景。在新能源领域，该传感器可用于光伏逆变器、储能系统中的直流电流检测，配合磁芯构成开环或闭环电流传感器，实现高效能量管理。
在汽车电子方面，MDMK3030T2R2MMV适用于EPS（电动助力转向）系统中的扭矩检测、油门踏板位置感应、变速箱档位识别以及电池管理系统（BMS）中的电流监控。其宽温特性和高抗干扰能力满足AEC-Q100标准的相关要求，适合车载环境。
此外，在消费类电子产品中，该器件可用于智能门锁的锁舌位置检测、笔记本电脑翻盖检测、无线充电设备中的异物检测（FOD）等功能模块。由于其非接触式工作原理，避免了机械磨损，大幅提升了系统的使用寿命和可靠性。在医疗设备中，也可用于便携式仪器中的流体流量监测或运动部件的位置反馈。
MDMK3030T1R0MMV
MDMK3030T3R3MMV
TMR2903
TMR2901
