MDMA210UB1600PTED 是一款由 Micron Technology 制造的 DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于其特定的内存产品系列。这款芯片设计用于高性能计算和嵌入式系统,提供快速的数据访问速度和可靠的存储能力。其封装形式为 TSOP(薄型小外形封装),适合多种应用场景,包括网络设备、工业控制系统和消费电子产品。
容量:256MB
类型:DRAM
封装:TSOP
频率:166MHz
接口:Parallel
电压:2.3V - 3.6V
工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
MDMA210UB1600PTED 是一款高性能、低功耗的 DRAM 存储器,适用于需要高可靠性和稳定性的嵌入式应用。其 256MB 的存储容量足以满足大多数中高端嵌入式系统的内存需求,而 166MHz 的工作频率确保了快速的数据传输和处理能力。该芯片的 TSOP 封装形式使其适合高密度 PCB 设计,同时具有良好的热管理和机械稳定性。
该芯片的接口为并行接口,支持高速数据传输,适用于实时系统中的快速存取需求。此外,其宽电压范围(2.3V 至 3.6V)使其在不同电源环境下都能保持稳定运行,而工业级温度范围(-40°C 至 +85°C)则确保了在苛刻环境条件下的可靠性。
MDMA210UB1600PTED 还具备良好的抗干扰能力,能够在高噪声环境中保持数据完整性。其低功耗设计有助于减少系统整体能耗,延长电池寿命,适用于便携式设备和低功耗应用。此外,该芯片还支持多种刷新模式,以优化内存管理并减少功耗。
MDMA210UB1600PTED 常用于网络设备、通信基础设施、工业控制和自动化系统、高端消费电子产品以及其他需要高性能内存支持的嵌入式系统。
IS42S16400J-6T, KM48V51422AGB4-6T, CY7C1380D-5AAXI