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MDMA210UB1600PTED 发布时间 时间:2025/8/5 20:54:34 查看 阅读:29

MDMA210UB1600PTED 是一款由 Micron Technology 制造的 DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于其特定的内存产品系列。这款芯片设计用于高性能计算和嵌入式系统,提供快速的数据访问速度和可靠的存储能力。其封装形式为 TSOP(薄型小外形封装),适合多种应用场景,包括网络设备、工业控制系统和消费电子产品。

参数

容量:256MB
  类型:DRAM
  封装:TSOP
  频率:166MHz
  接口:Parallel
  电压:2.3V - 3.6V
  工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)

特性

MDMA210UB1600PTED 是一款高性能、低功耗的 DRAM 存储器,适用于需要高可靠性和稳定性的嵌入式应用。其 256MB 的存储容量足以满足大多数中高端嵌入式系统的内存需求,而 166MHz 的工作频率确保了快速的数据传输和处理能力。该芯片的 TSOP 封装形式使其适合高密度 PCB 设计,同时具有良好的热管理和机械稳定性。
  该芯片的接口为并行接口,支持高速数据传输,适用于实时系统中的快速存取需求。此外,其宽电压范围(2.3V 至 3.6V)使其在不同电源环境下都能保持稳定运行,而工业级温度范围(-40°C 至 +85°C)则确保了在苛刻环境条件下的可靠性。
  MDMA210UB1600PTED 还具备良好的抗干扰能力,能够在高噪声环境中保持数据完整性。其低功耗设计有助于减少系统整体能耗,延长电池寿命,适用于便携式设备和低功耗应用。此外,该芯片还支持多种刷新模式,以优化内存管理并减少功耗。

应用

MDMA210UB1600PTED 常用于网络设备、通信基础设施、工业控制和自动化系统、高端消费电子产品以及其他需要高性能内存支持的嵌入式系统。

替代型号

IS42S16400J-6T, KM48V51422AGB4-6T, CY7C1380D-5AAXI

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MDMA210UB1600PTED参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格28 : ¥755.35143盒
  • 系列-
  • 包装
  • 产品状态在售
  • 二极管类型三相(制动)
  • 技术标准
  • 电压 - 峰值反向(最大值)1.6 kV
  • 电流 - 平均整流 (Io)210 A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)1.75 V @ 210 A
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏100 μA @ 1600 V
  • 工作温度-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳E2
  • 供应商器件封装E2