MDMA110P1800TG 是一款由 Microsemi(现为 Microchip Technology)生产的功率MOSFET模块,专为高功率密度和高效率的应用而设计。该模块采用了先进的硅技术,具有低导通电阻和快速开关特性,适用于工业电源、电机控制、可再生能源系统和电动汽车充电设备等应用。MDMA110P1800TG 采用TO-247封装,便于散热并提高可靠性。
类型:功率MOSFET模块
最大漏源电压(Vds):1800V
最大漏极电流(Id):110A
导通电阻(Rds(on)):典型值为1.8mΩ
栅极电荷(Qg):典型值为150nC
工作温度范围:-55°C至+175°C
封装形式:TO-247
MDMA110P1800TG 具有多个显著的技术特性,使其在高功率应用中表现出色。
首先,该器件具有非常低的导通电阻(Rds(on)),通常为1.8mΩ,这有助于降低导通损耗并提高整体系统效率。此外,低导通电阻还可以减少发热,从而提高系统的可靠性和寿命。
其次,MDMA110P1800TG 的最大漏源电压(Vds)高达1800V,能够承受较高的电压应力,适用于高压应用场景。其最大漏极电流为110A,能够在高电流条件下稳定运行,适合用于大功率电机驱动或电源转换系统。
第三,该MOSFET模块具有快速开关特性,栅极电荷(Qg)仅为150nC,这意味着它可以更快地进行开关操作,从而减少开关损耗。这对于需要高频工作的应用(如DC-DC转换器、逆变器等)尤为重要。
最后,MDMA110P1800TG 采用TO-247封装,具备良好的热管理和散热性能,能够在恶劣的工作环境下保持稳定。其宽广的工作温度范围(-55°C至+175°C)也使其适用于极端环境下的应用,如航空航天、电动汽车等。
MDMA110P1800TG 广泛应用于需要高电压、高电流以及高效能的电力电子系统中。
在工业领域,该器件常用于变频器、电机驱动器和工业电源系统,用于提高能效并减少热量产生。由于其高耐压能力和低导通电阻,它非常适合用于高压直流(HVDC)输电系统中的功率转换模块。
在可再生能源领域,MDMA110P1800TG 可用于太阳能逆变器和风力发电变流器中,帮助将可再生能源转换为可用的交流电,并提高系统的整体效率。
此外,该器件也适用于电动汽车充电设备,特别是在快速充电站中,能够承受高电流和高电压的压力,同时保持较低的开关损耗。
其他应用还包括不间断电源(UPS)、电池管理系统(BMS)、电焊机和感应加热设备等高功率电子系统。
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