类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：60V
　　连续漏极电流（Id）@25°C：10A
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：约1.5V~3.0V
　　导通电阻（Rds(on)）：约0.045Ω @ Vgs=10V
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装：PowerSSO-16

MDM6085/108 是一款高性能的双N沟道功率MOSFET，专为高效率和高可靠性应用而设计。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）特性，能够在高电流条件下保持较低的功率损耗，从而提高整体能效。这种MOSFET的高耐压能力（60V）使其适用于多种中高功率应用场景，如电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电机控制等。
　　此外，MDM6085/108采用PowerSSO-16封装，具有优异的热管理性能，能够有效散发工作过程中产生的热量。这种封装形式不仅节省空间，还支持表面贴装工艺，非常适合用于高密度PCB设计。由于其紧凑的尺寸和出色的性能，MDM6085/108在工业自动化、汽车电子和消费类电子产品中得到了广泛应用。
　　该器件的栅极阈值电压范围较宽（1.5V~3.0V），使其能够与多种控制电路兼容，包括低压微控制器。这种灵活性为设计工程师提供了更多的电路设计自由度。同时，MDM6085/108具备良好的抗雪崩能力和过载保护特性，进一步提升了其在严苛工作环境中的可靠性。

MDM6085/108 广泛应用于多种功率电子系统中。常见用途包括电源管理系统、DC-DC降压/升压转换器、电池供电设备的负载开关、H桥电机控制器以及工业自动化设备中的功率开关模块。由于其高可靠性和良好的热性能，该器件也常用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）以及车身控制模块。此外，在消费类电子产品中，如笔记本电脑、平板电脑和智能家电中，MDM6085/108也常用于高效的电源管理和功率控制电路。

STL6085NTR, NDS6085A, AO6408, FDS6680, Si4828DY